[发明专利]一种红外双色探测器芯片环形地线

权利要求书

1.一种红外双色探测器芯片环形地线，该环形地线用于抑制双色碲镉汞焦平面探测器裂片，该双色碲镉汞焦平面探测器由双色探测器芯片和读出电路通过铟柱倒装互连形成；该双色探测器芯片包括地线金属电极(10)和双色器件阵列；

该双色器件阵列包括：中波器件金属电极(8)及与其接触的中波器件阵列；短波器件金属电极(9)及与其接触的短波器件阵列；采用干法刻蚀钝化层(7)形成的微台面孔型地线电极接触孔(111)、短波器件n型区电极接触孔(12)和中波器件n型区电极接触孔(13)；通过微台面孔型地线电极接触孔(111)将地线金属电极(10)与p型短波碲镉汞吸收层(2)进行连接形成的双色探测器芯片的地线；通过短波器件n型区电极接触孔(12)将短波器件金属电极(9)与短波碲镉汞n型区(3)进行连接形成的短波器件；通过中波器件n型区电极接触孔(13)将中波器件金属电极(8)与中波碲镉汞n型区(6)进行连接形成的中波器件；

该读出电路包括：读出电路(16)本体；位于读出电路(16)本体上的金属电极(15)和铟柱(14)；

其特征在于：所述红外双色探测器芯片环形地线是由环绕在双色器件阵列外边缘的一系列相互隔离且呈锯齿状排列的微台面地线孔(102)通过地线金属电极(10)连接形成；所述双色器件阵列内规则排列着短波器件微台面孔(901)。

2.根据权利要求1所述的红外双色探测器芯片环形地线，其特征在于：

所述微台面地线孔(102)和短波器件微台面孔(901)的直径相等。

3.根据权利要求1所述的红外双色探测器芯片环形地线，其特征在于：

所述微台面地线孔(102)和短波器件微台面孔(901)的深度相等。

4.根据权利要求1所述的红外双色探测器芯片环形地线，其特征在于：

所述钝化层(7)的厚度为0.7μm～0.8μm。

5.根据权利要求1所述的红外双色探测器芯片环形地线，其特征在于：

所述微台面地线孔(102)的直径为8μm～14μm。

6.根据权利要求1所述的红外双色探测器芯片环形地线，其特征在于：

所述微台面孔型地线地电极接触孔(111)的直径为6μm～12μm。

7.根据权利要求1所述的红外双色探测器芯片环形地线，其特征在于：

所述短波器件n型区电极接触孔(12)和中波器件n型区电极接触孔(13)的直径为3μm～6μm。

8.根据权利要求1所述的红外双色探测器芯片环形地线，其特征在于：

所述微台面孔型地线地电极接触孔(111)刻蚀孔深与短波器件n型区电极接触孔(12)差异不大于0.1μm。

9.根据权利要求1-8任一项所述的红外双色探测器芯片环形地线，其特征在于：

所述地线金属电极(10)、中波器件金属电极(8)和短波器件金属电极(9)同时进行制备。

10.根据权利要求9所述的红外双色探测器芯片环形地线，其特征在于：所述地线金属电极(10)、中波器件金属电极(8)和短波器件金属电极(9)的材质为Ni、Cr、Pt或Au。