[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210306031.4 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114883382A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 吴旭升;梁英强;尚慧玲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
在一基底上方的第一半导体堆叠件，其中多个所述第一半导体堆叠件包括第一半导体层，多个所述第一半导体层彼此分离并且沿着基本上垂直于该基底的一顶面的一方向堆叠；
位于该基底的上方的第二半导体堆叠件，其中该第二半导体堆叠件包括第二半导体层，多个所述第二半导体层彼此分离并且沿着基本上垂直于该基底的该顶面的该方向堆叠；
内部间隔物位于多个所述第一半导体层的边缘部分之间和位于多个所述第二半导体层的边缘部分之间；以及
位于该第一半导体堆叠件和该第二半导体堆叠件之间的一块体源极/漏极部件，其中该块体源极/漏极部件通过一第一气隙与该基底分隔开来，并且该块体源极/漏极部件通过第二气隙而与多个所述内部间隔物分隔开来。
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