[发明专利]电子装置在审
| 申请号： | 202210308417.9 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN114678380A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 乐瑞仁;李冠锋;吴湲琳 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 熊文鑫 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置，其特征在于，包含：
一衬底，包含一穿孔；
一连接件，设置于该穿孔中；
一绝缘层，设置于该衬底上；
一半导体层，设置于该绝缘层上；以及
一电路板，设置于该衬底下，其中，该连接件电性连接该半导体层及该电路板，
其中，该绝缘层的厚度介于600nm至1000nm之间。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中，该半导体层包含硅半导体或氧化物半导体。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包含：一第一导电元件，其中，该第一导电元件电性连接该半导体层及该连接件。
4.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，更包含：一第二导电元件，其中，该第二导电元件电性连接该半导体层及该第一导电元件。
5.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，其中，该第一导电元件的材料与该连接件的材料不同。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包含：一栅极，与该半导体层对应。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包含：一发光二极体，与该半导体层电性连接。
8.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，该发光二极体是有机发光二极体。
9.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，该发光二极体是无机发光二极体。
10.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该半导体层与该连接件之间的距离介于5μm至500μm之间。
11.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该衬底是可挠性衬底。
12.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包含：一导电元件，设置于该衬底与该电路板之间。
13.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，于一剖面中，该穿孔于该衬底的一表面的宽度大于该穿孔于该衬底的1/2厚度处的宽度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
