[发明专利]一种碲锌镉单晶圆片制备工艺在审
申请号: | 202210310441.6 | 申请日: | 2022-03-28 |
公开(公告)号: | CN114808134A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 邓波浪;刘士军;李玉萍 | 申请(专利权)人: | 安徽承禹半导体材料科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/48 | 分类号: | C30B29/48;C30B15/00 |
代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人: | 张立娟 |
地址: | 233000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碲锌镉单晶圆片 制备 工艺 | ||
1.一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一:按照化学计量比将满足Cd1-xZnxTe的纯度镉、锌、碲原料配比、称重后依次装入石英管内,抽真空并充入保护气后封闭石英管,随后加热熔融得到多晶棒;
步骤二:按照化学计量比将满足Cd1-xZnxTe的纯度镉、锌、碲原料配比、称重装入另一石英管内,再加入原料质量百分数为10%-100%的Te,抽真空并充入保护气后封闭石英管,随后加热熔融得到富碲合金;
步骤三:另取一个石英管,在其内部放入籽晶,再依次放入上述得到的多晶棒、富碲合金,抽真空并充入保护气后封闭石英管;
步骤四:对步骤三的石英管中放置富碲合金的区域施加不超过1000℃的高温,使富碲合金完全熔融成为饱和溶液;继续保温5-100h后以0.02-2mm/h的速度朝向籽晶一侧移动热源,直至热源高度低于步骤三的步骤三的最低端为止,同时待多晶棒与熔融的富碲合金熔体脱离后,以0.001-1mm/min的速度向上提拉多晶棒;
步骤五:降温,得到碲锌镉单晶晶棒;
步骤六:对得到的碲锌镉单晶晶棒经切片、腐蚀、抛光和清洗处理,即得到所述碲锌镉单晶圆片。
2.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,步骤一和步骤二中x的范围为0.01-0.95。
3.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,步骤一和步骤二中镉、锌、碲原料的纯度不低于99.999999%。
4.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,所述步骤一、所述步骤二以及所述步骤三中还包括抽真空检测,抽真空过程中进行真空度检测,当石英管内气压低于1.0×10-4Pa后再进行封闭石英管操作。
5.根据权利要求1或4所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,所述步骤一、所述步骤二以及所述步骤三中在进行封闭石英管以后需要进行检漏,检漏合格以后才可以进行加热处理。
6.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,所述保护气为惰性气体。
7.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,在进行步骤四时,步骤三的石英管始终放置在温度为300-800℃的整体环境中。
8.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,所述籽晶的成分与所述多晶棒的成分相同。
9.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,步骤一和步骤二采用摇摆炉进行加热熔融。
10.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,步骤四中石英管应进行振动旋转。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽承禹半导体材料科技有限公司,未经安徽承禹半导体材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210310441.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。