[发明专利]一种碲锌镉单晶圆片制备工艺在审

专利信息
申请号: 202210310441.6 申请日: 2022-03-28
公开(公告)号: CN114808134A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 邓波浪;刘士军;李玉萍 申请(专利权)人: 安徽承禹半导体材料科技有限公司
主分类号: C30B29/48 分类号: C30B29/48;C30B15/00
代理公司: 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 代理人: 张立娟
地址: 233000 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 碲锌镉单晶圆片 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,包括如下步骤:

步骤一:按照化学计量比将满足Cd1-xZnxTe的纯度镉、锌、碲原料配比、称重后依次装入石英管内,抽真空并充入保护气后封闭石英管,随后加热熔融得到多晶棒;

步骤二:按照化学计量比将满足Cd1-xZnxTe的纯度镉、锌、碲原料配比、称重装入另一石英管内,再加入原料质量百分数为10%-100%的Te,抽真空并充入保护气后封闭石英管,随后加热熔融得到富碲合金;

步骤三:另取一个石英管,在其内部放入籽晶,再依次放入上述得到的多晶棒、富碲合金,抽真空并充入保护气后封闭石英管;

步骤四:对步骤三的石英管中放置富碲合金的区域施加不超过1000℃的高温,使富碲合金完全熔融成为饱和溶液;继续保温5-100h后以0.02-2mm/h的速度朝向籽晶一侧移动热源,直至热源高度低于步骤三的步骤三的最低端为止,同时待多晶棒与熔融的富碲合金熔体脱离后,以0.001-1mm/min的速度向上提拉多晶棒;

步骤五:降温,得到碲锌镉单晶晶棒;

步骤六:对得到的碲锌镉单晶晶棒经切片、腐蚀、抛光和清洗处理,即得到所述碲锌镉单晶圆片。

2.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,步骤一和步骤二中x的范围为0.01-0.95。

3.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,步骤一和步骤二中镉、锌、碲原料的纯度不低于99.999999%。

4.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,所述步骤一、所述步骤二以及所述步骤三中还包括抽真空检测,抽真空过程中进行真空度检测,当石英管内气压低于1.0×10-4Pa后再进行封闭石英管操作。

5.根据权利要求1或4所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,所述步骤一、所述步骤二以及所述步骤三中在进行封闭石英管以后需要进行检漏,检漏合格以后才可以进行加热处理。

6.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,所述保护气为惰性气体。

7.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,在进行步骤四时,步骤三的石英管始终放置在温度为300-800℃的整体环境中。

8.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,所述籽晶的成分与所述多晶棒的成分相同。

9.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,步骤一和步骤二采用摇摆炉进行加热熔融。

10.根据权利要求1所述的一种碲锌镉单晶圆片制备工艺,其特征在于,步骤四中石英管应进行振动旋转。

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