[发明专利]双极晶体管以及高频功率放大器模块

权利要求书

1.一种双极晶体管，其中，具有：

集电极层，其形成在由化合物半导体构成的基板上；

基极层，其形成在上述集电极层上；

发射极层，其形成在上述基极层上；

基极电极，其一部分设置在上述发射极层的部分区域上，并且其另一部分在上述发射极层和上述基极层上方在平面图中朝向上述基极层的边缘延伸；以及

绝缘膜，其设置在上述基极电极的上述另一部分与上述发射极层的一部分之间以及上述基极电极的上述另一部分与上述基极层的一部分之间。

2.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中，

上述基极电极从上述集电极层的边缘向外突出。

3.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中，

上述基极电极从上述基极层的边缘向外突出。

4.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中，还具有：

合金层，该合金层从上述基极电极的一部分沿厚度方向延伸穿过上述发射极层并到达上述基极层。

5.根据权利要求4所述的双极晶体管，其中，

上述合金包含构成上述基极电极的至少一种元素以及构成上述发射极层和上述基极层的元素。

6.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中，

上述基极层的一部分不与上述发射极层重叠。

7.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中，

上述集电极层的上部的侧面与上述基极层的侧面连续，并且

上述集电极层的剩余下部的侧面位于上述基极层的侧面的外侧。

8.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中，

上述集电极层具有中间集电极层，上述中间集电极层设置在厚度方向的中间位置处并且由具有与上述集电极层的另一部分的半导体材料的蚀刻特性不同的蚀刻特性的半导体材料构成，

上述集电极层的设置在上述中间集电极层上的上部的侧面与上述基极层的侧面连续，并且

上述集电极层的设置在上述中间集电极层之下的下部的侧面位于上述基极层的侧面的外侧。

9.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中，还具有：

设置在上述基板与上述集电极层之间的子集电极层，

上述子集电极层具有设置在上述基板上的第一子集电极层和设置在上述第一子集电极层上的第二子集电极层，以及

上述第二子集电极层具有与上述集电极层的一部分的蚀刻特性不同的蚀刻特性，上述部分与上述第二子集电极层接触。

10.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中，还具有：

接触层，其设置在上述发射极层的部分区域上；以及

发射极电极，其设置在上述接触层上并从上述接触层的边缘向外突出，

上述发射极电极的突出部分的前端在平面图中与上述基极电极的边缘一致。

11.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中，还具有：

接触层，其设置在上述发射极层的部分区域上；

上述接触层具有多个半导体层，上述多个半导体层沿面内方向布置在上述发射极层的上表面上，并且

上述基极电极具有设置在形成上述接触层的上述多个半导体层之间的部分。

12.根据权利要求11所述的双极晶体管，其中，

上述基极电极的设置在上述多个半导体层之间的一部分设置在上述发射极层的部分区域上，并且

上述基极电极的设置在上述多个半导体层之间的另一部分在上述发射极层和上述基极层上方在平面图中朝向上述多个半导体层的边缘延伸；以及

上述双极晶体管还具有绝缘膜，上述绝缘膜设置在设于上述多个半导体层之间的上述基极电极的上述另一部分与上述发射极层以及设于上述多个半导体层之间的上述基极电极的上述另一部分与上述基极层的一部分之间。