[发明专利]一种双载流子MoS2

权利要求书

1.一种双载流子MoS₂二维材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，制备过热态溶剂，通过将装有溶剂且带磨口塞的容器置于恒温烘箱中获得；

步骤2，利用干法剥离或CVD法制备少层或单层MoS₂；

步骤3，将MoS₂生长或转移至无机衬底上作为待处理片；

步骤4，将待处理片置于装有溶剂且带磨口塞的容器中，将容器放于一定温度的所述恒温烘箱中放置一段时间，所述恒温烘箱的温度超过溶剂的沸点，并且所述恒温烘箱的温度不超过溶剂沸点2倍；

步骤5，取出待处理片得到双载流子MoS₂二维材料。

2.根据权利要求1所述的一种双载流子MoS₂二维材料的制备方法，其特征在于，步骤1中的溶剂为过热态丙酮、过热态乙醇、过热态水、过热态异丙醇、过热态N-甲基吡咯烷酮溶剂中的一种或多种的混合。

3.根据权利要求1所述的一种双载流子MoS₂二维材料的制备方法，其特征在于，步骤2中，MoS₂层数不超过50层。

4.根据权利要求3所述的一种双载流子MoS₂二维材料的制备方法，其特征在于，步骤2中，MoS₂层数不超过10层。

5.根据权利要求1所述的一种双载流子MoS₂二维材料的制备方法，其特征在于，无机衬底为SiO₂、Si、Al₂O₃、Si、SiN、GaN、AlN或ZnO中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种双载流子MoS₂二维材料的制备方法，其特征在于，步骤4中容器放入一定温度的恒温烘箱中的处理时间大于10分钟，不超过10小时。

7.根据权利要求6所述的一种双载流子MoS₂二维材料的制备方法，其特征在于，步骤4中容器放入一定温度的恒温烘箱中的处理时间不超过2小时。