[发明专利]一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210311731.2 | 申请日： | 2022-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN114824068A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 单玉凤;朱家旗;殷子薇;邓惠勇;戴宁 | 申请（专利权）人： | 国科大杭州高等研究院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人： | 章蔚强 |
| 地址： | 310012 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 层状 铜基硫族 化合物 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，采用溅射或蒸镀工艺在衬底上沉积导电薄膜作为底电极；
步骤2，制备二维层状铜基硫族化合物材料，通过转移法转移至底电极上，作为忆阻功能层；
步骤3，采用溅射或蒸镀工艺在忆阻功能层上沉积一层Cu导电层；
步骤4，在Cu导电层上蒸镀一层金属层作为顶电极，最终得到基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器。
2.根据权利要求1所述基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器的制备方法，其特征在于，衬底为Si、蓝宝石、玻璃、PET、PC、PP中的一种。
3.根据权利要求1所述基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器的制备方法，其特征在于，底电极为FTO、AZO、Au、Pt、Pd、Ti、Ag、Ir或石墨烯，底电极厚度为10-500nm。
4.根据权利要求1所述基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器的制备方法，其特征在于，二维层状铜基硫族化合物的化合物组成为BiCuOX，其中X为S或Se的一种或两种。
5.根据权利要求4所述基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器的制备方法，其特征在于，二维层状铜基硫族化合物为利用机械剥离法由铜基硫族化合物单晶制备而成，二维层状铜基硫族化合物的厚度为2-500nm。
6.根据权利要求4所述基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器的制备方法，其特征在于，二维层状铜基硫族化合物为利用干法或湿法转移法转移到底电极上。
7.采用上述方法制备的忆阻器，其特征在于，从下至上一次包括衬底、底电极、二维层状铜基硫族化合物、Cu导电层和顶电极。
8.根据权利要求7所述的忆阻器，其特征在于，Cu导电层的厚度为2-20nm，顶电极为惰性电极，为Au、Pt、Ir、Pd或石墨烯中的一种。
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