[发明专利]砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：

硅衬底；

砷化镓高电子迁移率晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；

砷化镓高电子迁移率晶体管，设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层上；

砷化镓异质结双极型晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；

砷化镓异质结双极型晶体管，设置在所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层上；以及

隔离带，设置在所述硅衬底上，且设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层与所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层之间。

2.根据权利要求1所述的砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层包括：缓冲层、沟道层、势垒层和盖帽层；

所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层包括：缓冲层、子集电层、集电层、基极层、发射层和盖帽层；

所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层的缓冲层、沟道层、势垒层、盖帽层通过所述隔离带与所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层的缓冲层、子集电层、集电层、基极层、发射层、盖帽层隔离。

3.根据权利要求2所述的砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层的缓冲层包括所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层的缓冲层、沟道层和势垒层，并同层形成；

所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层的子集电层与所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层的盖帽层同层形成。

4.根据权利要求2所述的砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层还包括：集电层、基极层、发射层和盖帽层，所述集电层设置在所述子集电层上，所述基极层设置在所述集电层上，所述发射层设置在所述基极层上，所述盖帽层设置在所述发射层上；

所述砷化镓异质结双极型晶体管包括：集电极、基极和发射极，所述集电极设置在所述集电层上，所述基极设置在所述基极层上，所述发射极设置在所述盖帽层上。

5.根据权利要求2所述的砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管，其特征在于，

所述砷化镓高电子迁移率晶体管包括：源极、漏极和栅极，所述源极和所述漏极设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层的盖帽层上，所述栅极设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层的势垒层上。

6.一种砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管的制作方法，用于制作如权利要求1-5任意一项所述的砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：

提供硅衬底；

在硅衬底上分别形成砷化镓高电子迁移率晶体管外延层和砷化镓异质结双极型晶体管外延层；

在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层上形成砷化镓高电子迁移率晶体管；

在所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层上形成砷化镓异质结双极型晶体管。

7.根据权利要求6所述的砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，所述在硅衬底上分别形成砷化镓高电子迁移率晶体管外延层和砷化镓异质结双极型晶体管外延层的步骤中，包括：

在所述衬底上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成砷化镓高电子迁移率晶体管外延层的沟道层；

在所述沟道层上形成砷化镓高电子迁移率晶体管外延层的势垒层；所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层的缓冲层、沟道层和势垒层形成所述砷化镓异质结双极型晶体管的缓冲层；

所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层的盖帽层形成所述砷化镓异质结双极型晶体管的子集电层；

在所述砷化镓异质结双极型晶体管的子集电层上形成集电层，在所述集电层上形成基极层，在所述基极层上形成发射层，在所述发射层上形成盖帽层；

在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层的沟道层上形成势垒层，在势垒层上形成盖帽层；

形成隔离带，所述隔离带设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层与所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层之间。