[发明专利]通过微调节提高半导体器件转移速度的方法和装置在审

专利信息
申请号: 202210311959.1 申请日: 2019-09-25
公开(公告)号: CN114664715A 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: A·哈斯卡;C·彼得森;J·温特;L·杜宾 申请(专利权)人: 罗茵尼公司
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/68;H01L21/60
代理公司: 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 代理人: 张学彪
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 通过 微调 提高 半导体器件 转移 速度 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

确定将设置在第一衬底上的半导体器件管芯转移到第二衬底的转移位置;

至少部分地基于所述转移位置确定第一衬底和第二衬底的对准位置;

至少部分地基于所述对准位置,将第一衬底或第二衬底中的至少一个经由第一传送机构移动一主要距离,所述第一传送机构配置为实施主要移动;

确定与在所述对准位置对准第一衬底和第二衬底相关联的一个或多个微位置调节;

至少部分地基于所述一个或多个微位置调节,将第一衬底或第二衬底中的至少一个经由第二传送机构移动到所述对准位置,所述第二传送机构配置为实施次要移动;以及

将半导体器件管芯从第一衬底转移到第二衬底,

其中所述次要移动为比所述主要移动更小尺度的移动。

2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括,在第一情况下,确定所述第二传送机构的中间位置,以及

其中确定所述一个或多个微位置调节至少部分地基于所述中间位置。

3.根据权利要求2所述的方法,进一步包括,在所述第一情况之后的第二情况下并且至少部分地基于转移所述半导体器件管芯,将所述第二传送机构移动到所述中间位置。

4.根据权利要求1所述的方法,进一步包括,至少部分地基于根据所述一个或多个微位置调节移动第一衬底或第二衬底中的至少一个,确定第一衬底和第二衬底被对准,且

其中,将半导体器件管芯从第一衬底转移到第二衬底至少部分地基于第一衬底和第二衬底被对准。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,确定一个或多个微位置调节包括:

确定沿第一轴线的第一微位置调节;以及

确定沿第二轴线的第二微位置调节。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述对准位置为第一对准位置;

其中,所述一个或多个微位置调节为一个或多个第一微位置调节;且

其中,所述方法进一步包括:

确定将设置在第一衬底上的第二半导体器件管芯转移到第二衬底的第二转移位置,

至少部分地基于所述第二转移位置确定第一衬底和第二衬底的第二对准位置,

确定所述第二对准位置在第二传送机构的一个或多个第二微位置调节内,

至少部分地基于所述一个或多个第二微位置调节,将第一衬底或第二衬底中的至少一个经由第二传送机构移动到所述第二对准位置;以及

将所述第二半导体器件管芯从第一衬底转移到第二衬底。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,将半导体器件管芯从第一衬底转移到第二衬底包括在第一衬底或第二衬底中的至少一个通过所述第一传送机构的主要移动期间将所述半导体器件管芯从所述第一衬底转移到所述第二衬底。

8.一种方法,包括:

确定与将半导体器件管芯从第一衬底转移到第二衬底相关联的转移位置;

至少部分地基于所述转移位置,确定第一衬底、第二衬底和将半导体器件管芯从第一衬底转移到第二衬底的转移机构的对准位置;

至少部分地基于所述对准位置,经由第一机构移动第一衬底、第二衬底或转移机构中的至少一个,所述第一机构配置为进行主要移动;

确定对第一衬底、第二衬底或转移机构中的至少一个的一个或多个微位置调节,所述一个或多个微位置调节与将第一衬底、第二衬底和转移机构对准至对准位置相关联;

至少部分地基于所述一个或多个微位置调节,经由第二机构移动第一衬底、第二衬底或转移机构中的至少一个,所述第二机构配置为进行小于主要移动的次要移动;以及

将半导体器件管芯从第一衬底转移到第二衬底。

9.根据权利要求8所述的方法,其中:

经由第一机构移动第一衬底、第二衬底或转移机构中的至少一个包括将第一衬底、第二衬底或转移机构中的至少一个移动第一量;以及

经由第二机构移动第一衬底、第二衬底或转移机构中的至少一个包括将第一衬底、第二衬底或转移机构中的至少一个移动小于第一量的第二量。

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