[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅基异质结太阳能电池，包括第一受光面和第二受光面；所述第一受光面依次层叠设置有减反射层、第一选择传输层、第一钝化层、n型硅片，其特征在于，所述减反射层的材料选自：氧化硅、氮化硅、氢化氮化硅、氮氧化硅、氟化镁、氧化铝及其叠层中的一种或多种叠层。

2.根据权利要求1所述硅基异质结太阳能电池，其特征在于，当电池为正结电池时，所述第一选择传输层的材料选自：碘化亚铜、氯化亚铜、溴化亚铜、氧化镍、氧化钴、氧化钒、氧化钨、氧化钼中的一种或多种叠层；当电池为背结电池时时，所述第一选择传输层的材料选自：氟化锂、氟化铷、氟化钡、氟化铯、氧化钛、氧化铬、氧化铪、氧化钪、氧化锆、氧化钽、氧化钇中的一种或多种叠层。

3.根据权利要求1所述硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二受光面包括第二选择性传输层和第二钝化层，所述第二钝化层层叠在所述n型硅片远离所述第一钝化层的一侧，所述第二选择性传输层层叠在所述第二钝化层远离所述n型硅片的一侧，且与第一选择性传输层传输的载流子种类相反。

4.根据权利要求1所述硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层和第二钝化层的材料分别各自选自：氢化非晶硅、氢化非晶氧化硅、氢化纳米氧化硅、氢化纳米碳化硅、氮氧化硅、氧化钛、氧化硅、氧化铝中的一种。

5.根据权利要求4所述硅基异质结太阳能电池，其特征在于，还包括透明导电电极层，所述透明导电电极层层叠在所述第二选择性传输层远离钝化层一侧。

6.根据权利要求5所述硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述透明导电电极层材料选自：氧化铟锡、氧化铝锌、氢化氧化铟/氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌镓中的一种。

7.根据权利要求5或6所述硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述透明导电电极层厚度为20nm～200nm。

8.根据权利要求1所述硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述减反射层厚度为20nm～200nm。

9.权利要求1至8任一项所述硅基异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：对n型硅片进行制绒清洗或抛光；在n型硅片一侧制备第一钝化层；在第一钝化层远离n型硅片的一侧制备第一选择性传输层；在第一选择性传输层远离第一钝化层的一侧制备减反射层；制备与减反射层连接的顶电极；在n型硅片远离第一钝化层的一侧制备第二钝化层；在所述第二钝化层远离n型硅片的一侧制备第二选择性传输层；制备与第二选择性传输层连接的底电极。

10.根据权利要求9所述硅基异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述第二钝化层远离n型硅片的一侧制备第二选择性传输层，然后在在所述第二选择性传输层远离第二钝化层的一侧制备透明导电电极层；制备与透明导电电极层连接的底电极。