[发明专利]抗氧化结构及形成抗氧化结构的方法

权利要求书

1.一种减小基体表面的氧化膜厚度增长率的抗氧化方法，其特征在于，包括在基体（2）的表面形成封闭微结构（1），所述封闭微结构（1）是上下方向上的两端开口的腔体，并且所述封闭微结构（1）的下端设于所述基体（2）表面，在所述基体（2）的表面上在所述封闭微结构（1）的内部和外部形成氧化膜（3）时，形成于所述封闭微结构（1）的内部的所述氧化膜（3）受到压应力，以使氧化膜厚度增长率减小，

所述封闭微结构（1）是圆环柱形状，

所述封闭微结构（1）的外壁的直径是20~60微米、内壁的直径是10~40微米、高度是800纳米，

在所述基体（2）的表面上排列有多个所述封闭微结构（1），相邻的所述封闭微结构（1）彼此间隔的距离为100微米~120微米，

所述基体（2）的表面的凹凸度小于10纳米，

所述封闭微结构（1）由二氧化硅制成，所述基体（2）的材质为镍基高温合金。

2.一种如权利要求1所述的减小基体表面的氧化膜厚度增长率的抗氧化方法中的封闭微结构的形成方法，其特征在于，所述封闭微结构（1）的制备步骤包括：

在所述基体（2）的表面形成二氧化硅薄膜（4）；

将光刻胶（5）涂在所述二氧化硅薄膜（4）的表面；

将掩膜版（6）覆盖于所述光刻胶（5）的表面，所述掩膜版（6）上的遮光薄膜的形状和尺寸与所述封闭微结构（1）的横截面的形状和尺寸相同；

利用显影技术将所述掩膜版（6）上的所述遮光薄膜所形成的图案转移到所述光刻胶（5）上，取下掩膜版（6）；

利用刻蚀技术将所述二氧化硅薄膜（4）的没有被所述光刻胶（5）覆盖的部分去除；以及

将刻蚀后的所述二氧化硅薄膜（4）的表面上的所述光刻胶（5）去除。