[发明专利]交联型电子调节层材料、其制备方法及应用

说明书

本发明公开了一种交联型电子调节层材料、其制备方法及应用。所述交联型电子调节层材料的分子设计中引入吡啶或三氮嗪功能基团作为分子骨架，苯乙烯作为交联基团并进行分子构建。本发明提供的交联型电子调节层材料分子中的吡啶或三氮嗪功能基团具有良好的电子传输能力，可有效解决引入缓冲层厚度对QLED器件性能敏感性问题；同时，分子中引入交联基团，交联后形成三维网状聚合物，可以实现电子调节层高的热稳定性和良好的耐溶剂特性，从而解决多层溶液法制备时存在的上层溶剂对下层薄膜的腐蚀问题，有利于产业化生产大面积多层溶液法QLED制备。

技术领域

本发明涉及一种电子调节层材料，具体涉及一种用于倒置型量子点电致发光器件的交联型电子调节层材料及其制备方法，以及在量子点电致发光器件中的应用，属于量子点电致发光显示技术领域。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)因其高颜色纯度、易于制造和高的光学稳定性，有望成为下一代显示器。特别是倒置型器件结构的QLED，由于其底部阴极与市场主流的n型薄膜晶体管漏极端更容易集成而受到人们的广泛关注。其中，ZnO纳米粒子由于具有较高的电子迁移率和合适的能级，常被用作电子注入层(EIL)，以提高电子注入效率。然而，由于ZnO的载流子迁移率比有机空穴传输层(HTL)更快，导致了载流子注入不平衡，增加了非辐射俄歇复合的可能性；与此同时，由于ZnO和QDs均呈球状结构，ZnO/QDs界面处不可避免地会出现空洞，导致QLED的漏电流较大。

目前，解决这些问题的一种有效方法是在ZnO和QDs层之间引入一层薄薄的缓冲层作为电子调节层(ERL)。已经报道的缓冲层的材料有非共轭聚合物(PMMA、PEIE、PEI等)、无机物(Cs₂CO₃、Al₂O₃、LiF等)和有机小分子(TmPyPB等)。这些材料的引入可以减缓电子过多的注入，进一步提高电子注入平衡，并有效抑制界面激子猝灭。但是，这些已有材料也有如下缺点和不足：

(1)非共轭聚合物(PMMA、PEIE、PEI等)或无机材料(Cs₂CO₃、Al₂O₃、LiF等)等薄电子调节层材料为绝缘性材料，是通过材料的绝缘特性来减少电子的注入的。则微弱的厚度变化就会大幅影响电子的注入效果，相对应的，QLED的性能对该中间层的厚度非常敏感，就需要严格的控制膜层厚度及均一性。这在溶液法加工中是很难控制的，从而限制了QLED在工业生产中的进一步发展；

(2)有机半导体材料TmPyPB是导电的电子调节层材料，其中的吡啶功能基团因具有良好的电子传输特性，可以有效地缓解厚度敏感性对器件性能的大幅影响。但是小分子TmPyPB材料的玻璃态转变温度较低(79℃)，在溶剂退火过程中容易晶化，从而导致界面缺陷。此外，多层溶液法制备时还普遍存在着上层溶剂对下层薄膜的侵蚀问题，TmPyPB很难实现良好的抗溶剂特性。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种用于倒置型量子点电致发光器件的交联型电子调节层材料，以克服现有技术中的不足。

本发明的另一目的还在于提供所述交联型电子调节层材料的应用。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例提供了一种交联型电子调节层材料，其包括如式(A)～式(D)中至少任一者所示的结构：

其中，吡啶环与相邻的两个苯环在任意位置以共价键相连，R₁～R₅为氢或C₁～C₃₀的烷基或乙烯基，并且其中至少一个基团必须为乙烯基。

本发明实施例还提供了一种电子调节层，它是前述的交联型电子调节层材料形成的。