[发明专利]抽真空系统、半导体工艺设备及抽真空的方法

说明书

本申请公开了一种抽真空系统、半导体工艺设备及抽真空的方法，涉及半导体领域。一种抽真空系统包括：多组第一抽真空组件以及第二抽真空组件；多组第一抽真空组件与多组工艺腔室组一一对应连接，第一抽真空组件包括第一真空泵和多条第一抽真空管路，多条第一抽真空管路的出口端与第一真空泵连接，入口端与工艺腔室组中的多个工艺腔室一一对应连接；第二抽真空组件包括第二真空泵和第二抽真空管路，第二抽真空管路的出口端与第二真空泵连接，入口端与多个工艺腔室分别连接。半导体工艺设备，包括抽真空系统。一种抽真空的方法，应用于半导体工艺设备。本申请至少解决常规设备占用面积大的问题。

技术领域

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种抽真空系统、半导体工艺设备及抽真空的方法。

背景技术

卧式等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,PECVD)设备，能够在高真空石英腔室内利用高频电场激发工艺气体，以分解工艺气体SiH₄、NH₃，从而在样品的表面沉积形成Si₃N₄薄膜。该PECVD设备的自动化程度相对较高，能够满足太阳能电池生产线需求。在管式的PECVD设备中，抽真空系统是设备的关键部件。

然而，当前管式的PECVD设备为多套设备组合在一起运行，每套设备分别包括真空泵，从而导致多个真空泵的占地面积较大、能源消耗多、运行成本较高等问题。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种抽真空系统、半导体工艺设备及抽真空的方法，至少能够解决管式的PECVD设备包括多个真空泵导致占用面积大的问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

本申请实施例提供了一种抽真空系统，用于对半导体工艺设备的多个工艺腔室抽真空，多个所述工艺腔室分为多组工艺腔室组，每组所述工艺腔室组包括多个所述工艺腔室，所述抽真空系统包括：多组第一抽真空组件，以及第二抽真空组件；

多组所述第一抽真空组件用于与多组工艺腔室组一一对应连接，所述第一抽真空组件包括第一真空泵和多条第一抽真空管路，每组所述第一抽真空组件中的多条所述第一抽真空管路的出口端均与所述第一真空泵连接，每组所述第一抽真空组件中的多条所述第一抽真空管路的入口端分别用于与一组所述工艺腔室组中的多个所述工艺腔室一一对应连接；

所述第二抽真空组件包括第二真空泵和第二抽真空管路，所述第二抽真空管路的出口端与所述第二真空泵连接，所述第二抽真空管路的入口端用于与多个所述工艺腔室分别连接。

本申请实施例还提供了一种半导体工艺设备，包括上述抽真空系统。

本申请实施例还提供了一种抽真空的方法，应用于上述半导体工艺设备，所述方法包括：

当每组所述工艺腔室组中的所述工艺腔室进行工艺时，开启所述第一抽真空管路对与其对应连接的所述工艺腔室进行抽真空；

当每组所述工艺腔室组中的一个或多个所述工艺腔室在工艺过程中出现异常报警，且同一组所述工艺腔室组中的其它所述工艺腔室正常进行工艺时，关闭与异常报警的所述工艺腔室对应连接的所述第一抽真空管路，同时开启所述第二抽真空管路，以对异常报警的所述工艺腔室进行抽真空。

在本申请实施例中，通过多组第一抽真空组件可以分别对多组工艺腔室组抽真空，且每组第一抽真空组件包括第一真空泵和多条第一抽真空管路，而每组第一抽真空组件中的多条第一抽真空管路共用一个第一真空泵，每组第一抽真空组件中的多条第一抽真空管路的入口与一组工艺腔室中的多个工艺腔室一一对应连接，如此，通过每组第一抽真空组件中的一个第一真空泵可以对每组工艺腔室组中的多个工艺腔室抽真空，相比于每一个工艺腔室对应一个真空泵的方式，本申请实施例能够减少抽真空系统所包括的第一真空泵的数量，从而可以减小多个第一真空泵的占地面积，提高第一真空泵的使用率，进而可以降低能耗和运行成本。