[发明专利]一种高频信号峰值检测电路

权利要求书

1.一种高频信号峰值检测电路，其特征在于：包括运算放大器U1A、运算放大器U1B、三极管Q1和MOSFET管；

两端口排针P2的2脚接地，1脚接输入待检测信号；电阻R11一端接地，另一端接两端口排针P2的1脚；电阻R10一端接电阻R11的另一端，电阻R10的另一端接运算放大器U1A的同相输入端以及二极管D2阴极；

二极管D2阳极接电阻R1的一端；电阻R1的另一端接电阻R2的一端，电阻R2的另一端与二极管D2阳极、滑动变阻器R7的固定端、运算放大器U1A的反相输入端连接，滑动变阻器R7的滑动端与电阻R6的一端连接，电阻R6的另一端接-12V电源；

二极管D2阴极与运算放大器U1A的输出端、电阻R8的一端连接；电阻R8的另一端接二极管D3的阴极、三极管Q1的基极，三极管Q1的集电极通过电阻R3接+12V电源，三极管Q1的发射极分别与二极管D4的阳极、二极管D5的阳极、二极管D7的阴极、电阻R14的一端连接；

二极管D4的阴极连接二极管D3的阳极，二极管D7的阳极连接电阻R17的一端，电阻R17的另一端、电阻R14的另一端接地；

二极管D5的阴极分别与电阻R4的一端、二极管D6的阳极连接，二极管D6的阳极连接电阻R12的一端，电阻R12的另一端分别连接电容C1的一端、电阻R16的一端、电阻R13的一端以及运算放大器U1B的同相输入端, 运算放大器U1A的反向输入端连接电阻R5的一端，电阻R4的另一端、电阻R5的另一端接运算放大器U1B的输出端，运算放大器U1B的输出端通过电阻R9连接双端口排针P1的1脚，双端口排针P1的2脚接地；

电容C1的另一端、电阻R16的另一端接地，电阻R13的另一端连接MOSFET管的漏极，MOSFET管的栅极接地，MOSFET管的源极接电阻R15的一端，电阻R15的另一端，电阻R18的一端接电容C2的一端，电容C2的另一端、电阻R19的一端接双端口排针P3的1脚，双端口排针P3的2脚接地，电阻R19的另一端接地；

由两端口排针P2输入待检测信号，当电压信号升高时，二极管D2截止，二极管D1导通，运算放大器U1A构成电压跟随器输出；二极管D5、D6导通，运算放大器U1A输出的小电流驱动三极管Q1进行电流的放大，使得电容C1快速充电，电容C1的电量通过与电阻R16构成的回路进行缓慢泄放，最终由运算放大器U1B输出待测信号的幅值；在下一个待测信号来临时，由于运算放大器U1b输出端产生高电位，经由电阻R1分压和D2导通压降，将运算放大器U1A的实际工作点限制在待测信号峰值附近。

2.根据权利要求1所述的一种高频信号峰值检测电路，其特征在于：双端口排针P3给一个阶跃信号时，所述MOSFET管导通，使得输入端的高峰电压快速泄放。

3.根据权利要求1所述的一种高频信号峰值检测电路，其特征在于：所述的三极管Q1工作在放大区，使得运算放大器U1A的输出端用小电流驱动三极管产生大电流，用于电容C1的快速充电。

4.根据权利要求2所述的一种高频信号峰值检测电路，其特征在于：当待测信号峰值减小时，电容C2持续导通一段时间，此时电容C1与电阻R13构成回路，进行电容C1电量的快速泄放，运算放大器U1B输出端电位也随之降低，从而能及时检测到幅值减小的信号峰值。