[发明专利]半导体封装件及其形成方法

说明书

在实施例中，公开了一种半导体封装件，该半导体封装件包括：导电材料，该导电材料设置成与半导体管芯电接触；保护性模具结构，该保护性模具结构设置在半导体管芯上；以及介电层，该介电层设置在半导体管芯上并且在保护性模具结构与导电材料之间。

技术领域

本公开涉及半导体封装技术，并且更具体地涉及具有对半导体封装件导电部件的增强保护和封装可靠性的半导体封装件。

背景技术

在用于半导体封装的晶圆重建工艺期间，通常形成与在管芯焊盘上形成的铜柱接触的环氧模塑化合物(EMC)层，以将半导体封装件重分布层(RDL) 连接到下面的硅管芯电路。当EMC层在模制工艺之后被减薄磨片时，铜柱通常暴露于研磨。这种研磨可能导致铜从铜柱扩散到周围的EMC材料中，这可能导致短路或形貌问题。

发明内容

在一实施例中，公开了一种半导体封装件，该半导体封装件包括：导电材料，该导电材料设置成与半导体管芯电接触；保护性模具结构，该保护性模具结构设置在半导体管芯上；以及介电层，该介电层设置在半导体管芯上并且在保护性模具结构与导电材料之间。

在另一实施例中，公开了一种制造半导体封装件的方法，该方法包括：在半导体管芯上形成介电层；形成与半导体管芯电接触的导电材料；以及在半导体管芯上形成保护性模具结构。介电层设置在保护性模具结构与导电材料之间。

在另一实施例中，公开了一种包括半导体管芯的半导体封装件。半导体管芯包括：半导体电路；接触焊盘，该接触焊盘设置在半导体电路上并与半导体电路电接触；以及钝化层，该钝化层设置在半导体电路上和接触焊盘的至少一部分上。半导体封装件还包括：介电层，该介电层设置在钝化层上和半导体管芯的侧部部分上；导电材料，该导电材料设置成与接触焊盘电接触；以及保护性模具结构，该保护性模具结构设置在介电层的一部分和半导体管芯上。介电层设置在保护性模具结构与导电材料之间。

前述发明内容仅是说明性的，并不旨在以任何方式进行限制。除了以上描述的说明性方面、实施例以及特征之外，通过参考附图以及以下详细描述，另外的方面、实施例以及特征将变得明显。在附图中，相同的附图标记表示相同或功能上相似的元件。

附图说明

图1图示了根据实施例的半导体封装件的截面图。

图2图示了根据实施例的处于封装制造的中间阶段的图1的半导体封装件的截面图，图示了包括要封装的半导体电路的半导体晶圆。

图3图示了根据实施例的处于封装制造的中间阶段的图2的半导体封装件的截面图，该封装制造在利用一个或多个机械或激光蚀刻工艺将切割线至少部分地蚀刻到半导体电路中以形成阶梯状结构之后。

图4图示了根据实施例的处于封装制造的中间阶段的图3的半导体封装件的截面图，该封装制造在切割线被进一步蚀刻到半导体电路中以形成用于根据实施例的阶梯状结构的附加台阶之后。

图5图示了根据实施例的处于封装制造的中间阶段的图4的半导体封装件的截面图，该封装制造在已经在根据实施例的半导体电路、钝化层及导电焊盘的暴露表面上形成第一介电层之后。

图6图示了根据实施例的处于封装制造的中间阶段的图5的半导体封装件的截面图，该封装制造在第一介电层已经被图案化和蚀刻以暴露钝化层的部分和导电焊盘、RDL已经被沉积在钝化层的暴露部分上并且与导电焊盘接触、RDL 已经被平坦化以暴露第一介电层以及半导体晶圆已经被切块以将半导体电路的每个单元分离为单独的单元之后。

图7图示了根据实施例的处于封装制造的中间阶段的图6的半导体封装件的截面图，该封装制造在附接层已经被添加到单元中的每个单元的半导体电路的底部之后。

图8图示了根据实施例的处于封装制造的中间阶段的图7的半导体封装件的截面图，该封装制造在通过附接层将单元附接到释放层并且使用模制工艺在半导体封装件上形成保护性模具结构之后。