[发明专利]一种应用杂多酸盐电极回收盐湖卤水中铷铯的方法有效

专利信息
申请号: 202210319512.9 申请日: 2022-03-29
公开(公告)号: CN114672654B 公开(公告)日: 2023-05-05
发明(设计)人: 杨良嵘;边阳阳;邢慧芳;戎猛;孟启宇;刘会洲 申请(专利权)人: 中国科学院过程工程研究所
主分类号: C22B7/00 分类号: C22B7/00;C22B26/10
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 王艳斋
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用 杂多 电极 回收 盐湖 卤水 中铷铯 方法
【权利要求书】:

1.一种应用杂多酸盐电极回收盐湖卤水中铷铯的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:

(1)将杂多酸盐电极置于盐湖卤水中,施加还原电位,得到负载碱金属离子的杂多酸盐电极;

(2)将步骤(1)所述负载碱金属离子的杂多酸盐电极置于再生液中,施加氧化电位,实现碱金属离子的释放;

步骤(1)所述杂多酸盐电极含有钒源;

所述钒源中的钒的价态为+5;

步骤(1)所述杂多酸盐电极的制备方法包括:将杂多酸盐分子筛与粘接剂、溶剂混合后,得到的浆料涂覆在导电基体上,得到所述杂多酸盐电极;

所述杂多酸盐分子筛与粘接剂的质量比为(6-10):1;

所述杂多酸盐分子筛的制备方法包括:将钒源、硅源、碱性物质、还原剂、钠盐和溶剂混合,老化后,进行水热反应得到所述杂多酸盐分子筛;

所述钒源包括偏钒酸钠、五氧化二钒或偏钒酸铵中的任意一种或至少两种组合;

所述硅源包括硅酸钠、九水合硅酸钠或二氧化硅中的任意一种或至少两种组合;

所述钒源与硅源的质量比为1:(5-20);

所述钒源与还原剂的质量比为1:(2-6)。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述粘接剂包括聚偏二氟乙烯、聚偏氟乙烯或聚四氟乙烯中的任意一种或至少两种组合。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述导电基体包括碳布、泡沫镍、钛板、铜板、铂片、导电碳材料中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述碱性物质包括氢氧化钠和/或氢氧化钾。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述还原剂包括草酸、二水合草酸、甲酸或柠檬酸中的任意一种或至少两种组合。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述老化的时间为12-48h。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述水热反应的温度为180-230℃。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述水热反应的时间为24-72h。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述盐湖卤水中含有铷和/或铯。

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述碱金属离子包括Rb+和/或Cs+

11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述还原电位为-3至0V,且不包括0V。

12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(2)所述再生液包括氯化钠、硫酸钠或硝酸钠中的任意一种。

13.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(2)所述再生液的浓度为0.001-0.1mol/L。

14.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(2)所述氧化电位为0至3V,且不包括0V。

15.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:

(1)将杂多酸盐电极置于含有铷和/或铯的盐湖卤水中,施加还原电位,得到负载Rb+和/或Cs+的杂多酸盐电极,所述还原电位为-3至0V,且不包括0V;

(2)将步骤(1)所述负载Rb+和/或Cs+的杂多酸盐电极置于0.001-0.1mol/L的再生液中,施加氧化电位,实现Rb+和/或Cs+的释放,所述氧化电位为0至3V,且不包括0V;

步骤(1)所述杂多酸盐电极含有钒源;

所述钒源中的钒的价态为+5;

步骤(1)所述杂多酸盐电极的制备方法包括:将杂多酸盐分子筛与粘接剂、溶剂混合后,得到的浆料涂覆在导电基体上,得到所述杂多酸盐电极;

所述杂多酸盐分子筛与粘接剂的质量比为(6-10):1;

所述杂多酸盐分子筛的制备方法包括:将钒源、硅源、碱性物质、还原剂、钠盐和溶剂混合,老化后,进行水热反应得到所述杂多酸盐分子筛;

所述钒源包括偏钒酸钠、五氧化二钒或偏钒酸铵中的任意一种或至少两种组合;

所述硅源包括硅酸钠、九水合硅酸钠或二氧化硅中的任意一种或至少两种组合;

所述钒源与硅源的质量比为1:(5-20);

所述钒源与还原剂的质量比为1:(2-6)。

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