[发明专利]二维BiCuSeO纳米片及其制备方法、半导体器件

权利要求书

1.一种二维BiCuSeO纳米片的制备方法，其特征在于，包括：

提供一反应装置，所述反应装置包括低压的反应腔室，该反应腔室具有依次间隔设置的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域之间的距离为5cm-15cm；

将含硒前驱体放置于第一区域，含铜前驱体、含氧前驱体和生长基底放置于第二区域，生长基底倒扣于含铜前驱体和含氧前驱体上方，所述含硒前驱体选自硒化铋、硒化铜、单质硒粉或单质硒块中的一种或多种，所述含氧前驱体选自氧化铋、氧化铜中的一种或多种，所述含铜前驱体选自氧化铜、硒化铜、单质铜粉、单质铜箔中的一种或多种，还包括助熔剂，所述助熔剂设置于所述的第二区域，所述助熔剂为氯化钾、氯化钠、氯化铜中的一种或多种；

将反应装置放置于管式炉内，打开真空泵抽真空至1Pa以下，并通入100-200sccm氩气进行洗气以除尽反应装置内的氧气；

热处理，含硒前驱体、含铜前驱体和含氧前驱体蒸发、反应，并在生长基底表面获得BiCuSeO纳米片，所述第二区域的温度大于第一区域的温度，且第一区域和第二区域的温差范围为50-200℃，在热处理过程中，持续通入50-150sccm的惰性气体，将蒸发后的前驱体输送至生长基底。

2.如权利要求1所述的二维BiCuSeO纳米片的制备方法，其特征在于，所述含硒前驱体为硒化铋，所述含铜前驱体为铜粉，所述含氧前驱体为氧化铋。

3.如权利要求2所述的二维BiCuSeO纳米片的制备方法，其特征在于，铜、硒化铋和氧化铋的质量比为1:(10-50):(50-100)。

4.如权利要求1所述的二维BiCuSeO纳米片的制备方法，其特征在于，所述热处理包括：在20min-30min内升温至600℃-720℃，保温5min-30min。

5.一种二维BiCuSeO纳米片，其特征在于，由权利要求1至4任一所述的制备方法制成，所述纳米片的厚度为7.6nm-100nm，横向尺寸为5μm-270μm。

6.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求5所述的二维BiCuSeO纳米片。