[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

硅基底；

位于所述硅基底的后表面且在远离所述硅基底的方向上依次设置的背钝化叠层和渐变层以及穿透所述渐变层和所述背钝化叠层的第一电极；其中，所述渐变层包括至少一层氮化硅层，所述至少一层氮化硅层的总厚度在55nm至110nm之间；在所述渐变层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占70%-95%，N占5%-30%；

位于所述硅基底的前表面设置的正面钝化层以及穿透所述正面钝化层的第二电极。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述至少一层氮化硅层的总体折射率在1.9至2.4之间。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述至少一层氮化硅层包括层叠设置的多层氮化硅单元层，在远离所述硅基底的方向上，所述多层氮化硅单元层包括第一氮化硅单元层、第二氮化硅单元层、第三氮化硅单元层、第四氮化硅单元层和第五氮化硅单元层，其中，所述第一氮化硅单元层的厚度在10nm至20nm之间，所述第二氮化硅单元层的厚度在15nm至30nm之间，所述第三氮化硅单元层的厚度在10nm至20nm之间，所述第四氮化硅单元层的厚度在10nm至20nm之间，所述第五氮化硅单元层的厚度在10nm至20nm之间。

4.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，在远离所述硅基底的方向上，所述多层氮化硅单元层的折射率逐层降低，所述第一氮化硅单元层的折射率在2.2至2.4之间，所述第二氮化硅单元层的折射率在2.15至2.35之间，所述第三氮化硅单元层的折射率在1.9至2.1之间，所述第四氮化硅单元层的折射率在2.05至2.25之间，所述第五氮化硅单元层的折射率在2.1至2.3之间。

5.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一氮化硅单元层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占75%-95%，N占5%-25%；

所述第二氮化硅单元层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占74%-94%，N占5.5%-26%；

所述第三氮化硅单元层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占70%-93%，N占7%-30%；

所述第四氮化硅单元层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占72%-93%，N占6.5%-28%；

所述第五氮化硅单元层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占73%-93%，N占6%-27%。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述背钝化叠层包括氧化铝层，所述氧化铝层的折射率在1.4至1.7之间且厚度在10nm至25nm之间；所述氧化铝层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占70%-90%，O占13%-25%，Al占1%-5%。

7.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述背钝化叠层还包括氮氧化硅层，所述氮氧化硅层设置于所述氧化铝层与所述渐变层之间；所述氮氧化硅层的折射率在1.5至1.9之间且厚度在8nm至20nm之间；所述氮氧化硅层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占75%-95%，N占5%-20%，O占6%-20%。

8.一种光伏组件，包括至少一个太阳能电池串，其特征在于，所述太阳能电池串由权利要求1-7任一所述的太阳能电池电连接组成。

9.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供硅基底；

在所述硅基底的后表面且远离所述硅基底的方向上依次形成背钝化叠层、渐变层和第一电极，所述第一电极穿透所述渐变层和所述背钝化叠层与所述硅基底形成电连接；所述渐变层包括至少一层氮化硅层，所述至少一层氮化硅层的总厚度在55nm至110nm之间；在所述渐变层中，各组分元素的重量百分比分别为：Si占70%-95%，N占5%-30%；

在所述硅基底的前表面形成正面钝化层和第二电极，所述第二电极穿透所述正面钝化层与所述硅基底形成电连接。