[发明专利]一种像素

权利要求书

1.一种像素，包括：

第一晶体管，所述第一晶体管包括连接到第一节点的栅电极、接收第一电源电压的第一电极和连接到第二节点的第二电极；

第二晶体管，所述第二晶体管包括接收扫描信号的栅电极、连接到所述第一节点的第一电极和连接到第三节点的第二电极；

第三晶体管，所述第三晶体管包括接收公共控制信号的栅电极、连接到所述第三节点的第一电极和连接到所述第二节点的第二电极；

有机发光二极管，所述有机发光二极管包括连接到所述第二节点的第一电极和接收第二电源电压的第二电极；

第一电容器，所述第一电容器包括接收初始化电压的第一电极和连接到所述第一节点的第二电极；以及

第二电容器，所述第二电容器包括接收数据信号的第一电极和连接到所述第三节点的第二电极，

其中，在所述第一电源电压具有低电压电平、所述第二电源电压具有高电压电平并且所述第三晶体管响应于所述公共控制信号而处于导通状态的时段期间，所述初始化电压在第一初始化电压电平和低于所述第一初始化电压电平的第二初始化电压电平之间摆动，并且

其中，在所述初始化电压具有所述第二初始化电压电平的时段期间，所述第二晶体管响应于所述扫描信号而从截止状态切换到导通状态。

2.根据权利要求1所述的像素，其中，在所述第一电源电压具有所述低电压电平、所述第二电源电压具有低电压电平、所述第二晶体管响应于所述扫描信号而处于所述截止状态并且所述第三晶体管响应于所述公共控制信号而处于截止状态的时段期间，所述初始化电压在所述第一初始化电压电平和所述第二初始化电压电平之间摆动。

3.根据权利要求1所述的像素，其中，在所述第一电源电压具有高电压电平、所述第二电源电压具有所述高电压电平、所述第二晶体管响应于所述扫描信号而处于所述截止状态并且所述第三晶体管响应于所述公共控制信号而处于截止状态的时段期间，所述初始化电压在所述第一初始化电压电平和所述第二初始化电压电平之间摆动。

4.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管是低温多晶硅薄膜晶体管。

5.根据权利要求4所述的像素，其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管是p沟道金属氧化物半导体晶体管。

6.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管是氧化物薄膜晶体管。

7.根据权利要求6所述的像素，其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管是n沟道金属氧化物半导体晶体管。

8.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第二晶体管是低温多晶硅薄膜晶体管，并且所述第三晶体管是氧化物薄膜晶体管。

9.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第二晶体管是p沟道金属氧化物半导体晶体管，并且所述第三晶体管是n沟道金属氧化物半导体晶体管。

10.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第二晶体管是氧化物薄膜晶体管，并且所述第三晶体管是低温多晶硅薄膜晶体管。

11.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第二晶体管是n沟道金属氧化物半导体晶体管，并且所述第三晶体管是p沟道金属氧化物半导体晶体管。

12.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一晶体管是低温多晶硅薄膜晶体管。

13.根据权利要求12所述的像素，其中，所述第一晶体管是p沟道金属氧化物半导体晶体管。

14.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一晶体管是氧化物薄膜晶体管。

15.根据权利要求14所述的像素，其中，所述第一晶体管是n沟道金属氧化物半导体晶体管。