[发明专利]一种半导体器件的制备方法及半导体器件

说明书

本公开提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括在衬底上形成第一堆叠层，所述第一堆叠层包括位于所述第一堆叠层两端的第一连接区堆叠层、以及位于所述第一连接区堆叠层之间的第二连接区堆叠层。然后形成覆盖所述第一连接区堆叠层和所述第二连接区堆叠层的保护层，最后对保护层未覆盖的所述第一堆叠层进行刻蚀。其中，所述第一连接区堆叠层在第二方向的宽度大于所述第二连接区堆叠层在第二方向的宽度，因此不会导致第一连接区堆叠层和第一连接区堆叠层附近的第二连接区堆叠层上的保护层偏薄，由此可以减少第一连接区堆叠层和附近第二连接区堆叠层上的保护层被侧掏，进而使保护层能够有效保护第一连接区堆叠层和第二连接区堆叠层。

技术领域

本公开总体上涉及电子器件，并且更具体的，涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件。

背景技术

由于三维存储器的功耗低、质量轻、并且属于性能优异的非易失存储产品，在电子产品中得到了越来越广泛的应用。但同时用户对三维存储器的期望值与要求也越来越高。随着层数的增多，半导体工艺和制造技术变得具有挑战性。

发明内容

本公开的目的在于提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，旨在通过增加第一连接区堆叠层的宽度，使连接结构被有效保护。

一方面，本公开提供一种半导体器件的制备方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一堆叠层，所述第一堆叠层包括位于所述第一堆叠层在第二方向两端的第一连接区堆叠层、以及位于所述第一连接区堆叠层之间的第二连接区堆叠层，其中，所述第一连接区堆叠层在所述第二方向的宽度大于所述第二连接区堆叠层在所述第二方向的宽度；

形成覆盖所述第一连接区堆叠层和所述第二连接区堆叠层的保护层；

形成位于所述保护层下方的连接结构。

进一步优选的，所述第一堆叠层还包括阶梯区堆叠层，所述阶梯区堆叠层与所述第二连接区堆叠层在所述第二方向上交替设置。

进一步优选的，所述形成覆盖所述第一连接区堆叠层和所述第二连接区堆叠层的保护层的步骤之前，所述制备方法还包括：

在所述第一连接区堆叠层上形成遮挡层；

在所述第二连接区堆叠层上形成掩模层；

基于所述掩模层和所述遮挡层对所述阶梯区堆叠层进行刻蚀，以在所述阶梯区堆叠层中形成阶梯结构；

去除所述遮挡层和所述掩模层。

进一步优选的，所述形成覆盖所述第一连接区堆叠层和所述第二连接区堆叠层的保护层的步骤，包括：

在所述第一堆叠层上形成光刻胶层；

对所述光刻胶进行曝光显影形成图案化光刻胶层，所述图案化光刻胶层位于所述第一连接区堆叠层和所述第二连接区堆叠层上作为所述保护层。

进一步优选的，所述形成位于所述保护层下方的连接结构的步骤，包括：

对所述阶梯结构继续向下刻蚀，所述保护层保护所述第一连接区堆叠层和所述第二连接区堆叠层不被刻蚀而形成所述连接结构。

进一步优选的，所述制备方法还包括：

在形成所述第一堆叠层的步骤中，在所述衬底上形成在第一方向上与所述第一堆叠层相邻设置的第二堆叠层，所述第一方向与所述第二方向垂直；

形成沿垂直于所述衬底的第三方向贯穿所述第二堆叠层的存储结构。

进一步优选的，所述在形成所述第一堆叠层的步骤中，在所述衬底上形成在第一方向上与所述第一堆叠层相邻设置的第二堆叠层的步骤，包括：