[发明专利]深紫外LED外延片、制备方法及半导体器件

权利要求书

1.深紫外LED外延片，其特征在于，包括在衬底上依次生长的氮化物缓冲层、氮化物过渡层、n型氮化物层、量子阱有源层、电子阻挡层、接触层；

其中，所述电子阻挡层为BAlN阻挡层；所述量子阱有源层包括多个交替生长的AlGaN量子阱层/AlGaN量子垒层，及最后一层量子阱结构为AlGaN/BAlN。

2.如权利要求1所述的深紫外LED外延片，其特征在于，所述BAlN阻挡层包括无掺杂的BAlN。

3.如权利要求1所述的深紫外LED外延片，其特征在于，还包括BAlN粗化层，所述BAlN粗化层位于所述BAlN阻挡层之前；或者，所述BAlN粗化层为所述BAlN阻挡层的一部分。

4.如权利要求3所述的深紫外LED外延片，其特征在于，所述BAlN粗化层的厚度为2nm-20nm。

5.如权利要求3所述的深紫外LED外延片，其特征在于，当所述BAlN粗化层位于所述BAlN阻挡层之前时，所述BAlN粗化层生长在最后一层量子阱结构AlGaN/BAlN和BAlN阻挡层之间。

6.如权利要求3所述的深紫外LED外延片，其特征在于，当所述BAlN粗化层位于所述BAlN阻挡层之前时，所述BAlN粗化层由最后一层量子阱结构AlGaN/BAlN中的BAlN量子垒层经过粗化处理形成。

7.如权利要求3所述的深紫外LED外延片，其特征在于，当所述BAlN粗化层为所述BAlN阻挡层的一部分时，所述BAlN阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层为BAlN粗化层，所述第二阻挡层为BAlN非粗化层；所述第二阻挡层的厚度大于第一阻挡层，所述第一阻挡层位于最后一层量子阱结构AlGaN/BAlN和所述第二阻挡层之间。

8.如权利要求1所述的深紫外LED外延片，其特征在于，最后一层量子阱结构AlGaN/BAlN中的BAlN量子垒层掺杂Si，所述Si的掺杂浓度为不大于1E18/CM³。

9.深紫外LED外延片的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-8任一所述的深紫外LED外延片，包括以下步骤：

S1、在衬底上生长氮化物缓冲层；

S3、在所述氮化物缓冲层上生长氮化物过渡层；

S4、在所述氮化物过渡层上生长n型氮化物层；

S5、在所述n型氮化物层上生长交替AlGaN量子阱层/AlGaN量子垒层，并生长AlGaN/BAlN层作为最后一层量子阱结构，以形成量子阱有源层；

S6、在所述最后一层量子阱结构AlGaN/BAlN层上生长BAlN阻挡层；

S7、在所述BAlN阻挡层上生长接触层。

10.半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1-8任一所述的深紫外LED外延片。