[发明专利]半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

基底；

堆叠结构，设置于所述基底上，包括多个栅极结构以及将多个所述栅极结构电隔离的绝缘层，其中，多个所述栅极结构沿平行于所述基底的第一方向延伸，且所述栅极结构的材料包括金属硅化物；以及，

栅缝隙结构，沿垂直于所述基底的纵向穿过所述堆叠结构而延伸至所述基底中，并沿平行于所述基底且垂直于所述第一方向的第二方向延伸；

其中，所述绝缘层还位于所述栅缝隙结构和多个所述栅极结构之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括共源极层和停止层，所述停止层位于所述共源极层以及所述堆叠结构之间，所述栅缝隙结构沿所述纵向延伸至所述停止层中，其中，所述停止层的材料包括氮化物。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括沟道结构和保护层，其中，所述沟道结构的沟道层沿所述纵向穿过所述堆叠结构而延伸至所述共源极层中，所述保护层设置于所述堆叠结构上，并覆盖所述沟道结构，且被所述栅缝隙结构贯穿。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅缝隙结构的材料包括多晶硅和钨其中至少之一。

5.一种存储器，其特征在于，包括：

如权利要求1-4任一项所述的半导体结构；以及，

外围电路，所述外围电路与所述半导体结构电连接。

6.一种存储系统，其特征在于，包括：

如权利要求5所述的存储器；以及，

控制器，所述控制器与所述存储器电连接，用以控制所述存储器。

7.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底上形成堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的纵向穿过所述堆叠结构的栅缝隙开口，其中，所述堆叠结构由多个介质层和多个多晶硅层组成；

去除多个所述介质层以得到多个与所述栅缝隙开口连通的空腔；

通过多个所述空腔，在多个所述多晶硅层表面形成金属层；

使多个所述多晶硅层与所述金属层发生化学反应而形成多个栅极结构；

在多个所述空腔中形成绝缘层而使多个所述栅极结构电隔离。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的纵向穿过所述堆叠结构的栅缝隙开口的步骤，具体包括：

在衬底上形成停止层、堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的纵向穿过所述堆叠结构并延伸至所述衬底中的沟道结构；

在所述堆叠结构上形成保护层，所述保护层覆盖所述沟道结构；

形成沿所述纵向穿过所述保护层和所述堆叠结构并延伸至所述停止层中的栅缝隙开口。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述金属层还形成于所述停止层的表面以及所述保护层的表面上，于所述在多个所述空腔中形成绝缘层而使多个所述栅极结构电隔离的步骤之前，还包括：

向所述栅缝隙开口中通入酸性液体，以去除位于所述停止层的表面以及所述保护层的表面上的所述金属层。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，使用原子层沉积法形成所述金属层。

11.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料包括镍和钴其中至少之一。

12.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，通过退火工艺使多个所述多晶硅层与所述金属层发生化学反应而形成多个栅极结构。