[发明专利]一种纳米晶TaNbTi中熵合金涂层及其制备方法在审
| 申请号： | 202210336453.6 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114592170A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 龙斌;鲁盛会;秦博;王亚强;孙军;李星;刘刚;张金钰 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院;西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 1024*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 tanbti 合金 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.一种TaNbTi难熔中熵合金涂层，其特征在于，其化学成分组成原子为等原子比的TaNbTi，晶体结构类型为BCC结构，该高熵合金涂层的晶粒形貌为柱状纳米晶。
2.根据权利要求1所述的一种TaNbTi难熔中熵合金涂层，其特征在于，所述涂层厚度约为2-5μm。
3.根据权利要求1所述的一种TaNbTi难熔中熵合金涂层，其特征在于，所述TaNbTi难熔中熵合金涂层的纳米压痕硬度为5.41GPa，模量为135.48GPa。
4.根据权利要求1所述的一种TaNbTi难熔中熵合金涂层，其特征在于，所述TaNbTi难熔中熵合金涂层的粗糙度为Ra20nm。
5.一种权利要求1-4任一项所述的TaNbTi难熔中熵合金涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：对基体表面进行超声清洗并烘干；
步骤2：真空环境下，采用磁控溅射在基体上制备TaNbTi难熔中熵合金涂层；
其中，TaNbTi合金靶的溅射功率为100-200W，沉积时间为15000-25000s；
步骤3：将步骤2得到的TaNbTi难熔中熵合金涂层随炉真空冷却到室温，得到TaNbTi难熔高熵合金涂层。
6.根据权利要求5所述的TaNbTi难熔中熵合金涂层的制备方法，其特征在于，所述TaNbTi合金靶的原子比为：Ta:Nb:Ti＝30.8:32.5:36.7at.％。
7.根据权利要求6所述的TaNbTi难熔中熵合金涂层的制备方法，其特征在于，所述TaNbTi合金靶纯度99.9wt.％。
8.根据权利要求5所述的TaNbTi难熔中熵合金涂层的制备方法，其特征在于，所述沉积温度为室温，基盘转速15r/min。
9.根据权利要求5所述的TaNbTi难熔中熵合金涂层的制备方法，其特征在于，步骤2中两个TaNbTi合金靶采用直流电源进行共溅射制备TaNbTi难熔中熵合金涂层。
10.根据权利要求5所述的TaNbTi难熔中熵合金涂层的制备方法，其特征在于，步骤1中将打磨抛光的基体在丙酮和酒精中依次超声清洗10分钟，然后烘干。
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