[发明专利]一种FeCoCr磁码盘薄膜材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种FeCoCr磁码盘薄膜材料，其特征在于，为多层膜结构，包括基底，以及在基底上依次制备的Bi掺杂的FeCoCr薄膜和保护层；其中，所述保护层用于防止Bi掺杂的FeCoCr薄膜被氧化。

2.根据权利要求1所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料，其特征在于，所述基底为硅基片；

Bi掺杂的FeCoCr薄膜的厚度为250nm，通过FeCoCr靶材和Bi靶材全程共溅射制备而成，其中，FeCoCr靶材中Fe、Co、Cr的元素质量比为45:30:25，FeCoCr靶材的溅射功率为80w，Bi靶材的溅射功率为3w；

所述保护层为Ta薄膜，厚度为10nm。

3.一种权利要求1所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、清洁并干燥FeCoCr靶材和Bi靶材；

S2、利用磁控溅射法，于室温下，在所述基底上依次沉积Bi掺杂的FeCoCr薄膜和保护层；其中，Bi掺杂的FeCoCr薄膜通过FeCoCr靶和Bi靶共溅射而成；

S3、于真空环境下，对步骤S2得到的薄膜退火热处理。

4.根据权利要求3所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的清洁并干燥过程具体为：先用化学试剂清洗，再用去离子水超声清洗，最后通过氮气吹干或者烘箱烘干。

5.根据权利要求4所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，其特征在于，化学试剂为丙酮或酒精。

6.根据权利要求3所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述FeCoCr靶材中Fe、C、Cr的元素质量比为45:30:25；磁控溅射过程中：控制溅射室本底真空度优于5×10^-5Pa，采用高纯氩气作为工作气体，高纯氩气的流量为40sccm，控制氩气分压稳定在0.4Pa；共溅射的沉积时间为1500s-2100s，所述保护层的沉积时间为300s-900s。

7.根据权利要求3所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，真空环境的真空度为1×10^-5Pa～5×10^-5Pa，热处理的温度为630℃-670℃，退火时间为25min～35min。

8.一种FeCoCr磁码盘薄膜材料在磁编码器中的应用，其特征在于，采用权利要求1或2所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料，或者权利要求3-7任意一项所述的方法制备得到的FeCoCr磁码盘薄膜材料作为磁编码器的码盘材料。