[发明专利]一种纳米晶NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层及其制备方法在审
申请号: | 202210337478.8 | 申请日: | 2022-03-31 |
公开(公告)号: | CN114672778A | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 王亚强;孙军;李彤;龙斌;刘刚;张金钰;鲁盛会;秦博 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学;中国原子能科学研究院 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16;C22C30/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 范巍 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 nbmotawti 难熔高熵 合金 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.一种纳米晶NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层,其特征在于,该高熵合金涂层中原子百分比为:Ti2.6~20.7at.%,其余为等原子比的NbMoTaW,高熵合金涂层的晶粒形貌为柱状纳米晶。
2.根据权利要求1所述的NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层,其特征在于,所述高熵合金涂层厚度为2.0~3.0μm。
3.根据权利要求1或2所述的NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层,其特征在于,所述NbMoTaWTi高熵合金涂层的纳米压痕硬度为9.0~11.0GPa。
4.一种权利要求1-3任一项所述的NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:对基体表面进行超声清洗并烘干;
步骤2:真空环境下,采用磁控溅射共溅射方法在基体上制备NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层;
NbMoTaW合金靶采用直流电源进行溅射,功率为200W,Ti靶采用射频电源进行溅射,功率为14~135W。
步骤3:将步骤2得到的NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层随炉真空冷却至室温,得到NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层。
5.根据权利要求4所述的NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层的制备方法,其特征在于,步骤1中所述基体清洗烘干处理的方法具体如下:
将抛光的基体在丙酮和酒精中依次超声清洗10分钟,然后烘干。
6.根据权利要求4所述NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层的制备方法,其特征在于,步骤2中所述真空环境的真空度为4.0×10-4Pa以下。
7.根据权利要求4所述NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层的制备方法,其特征在于,所述磁控溅射共溅射的沉积温度为150℃。
8.根据权利要求4所述NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层的制备方法,其特征在于,所述磁控溅射共溅射的沉积气压0.3Pa,沉积过程中基盘转速15r/min,沉积时间为10000s。
9.根据权利要求4所述NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层的制备方法,其特征在于,NbMoTaW合金靶的纯度99.9wt.%;Ti靶纯度99.94wt.%。
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