[发明专利]一种用于2微米波段的片上加热式锗光电探测器

权利要求书

1.一种用于2微米波段的片上加热式锗光电探测器，其特征在于：其包括两个电极、两个TiN加热电极、TiN加热层、N重掺杂硅层、P重掺杂硅层、锗吸收层、硅本征层、硅倍增层、P轻掺杂硅电荷层；

所述N重掺杂硅层、P重掺杂硅层位于两侧、且分别与两个电极连接，所述硅倍增层、P轻掺杂硅电荷层、硅本征层依次位于N重掺杂硅层与P重掺杂硅层之间，所述锗吸收层设于硅本征层的上方并相连，所述TiN加热层位于锗吸收层的上方，所述TiN加热层与TiN加热电极连接，所述锗吸收层与TiN加热层、TiN加热电极之间通过填充物隔离。

2.根据权利要求1所述的用于2微米波段的片上加热式锗光电探测器，其特征在于：所述N重掺杂硅层与P重掺杂硅层之间、且在所述锗吸收层与TiN加热层、TiN加热电极之间通过二氧化硅进行填充隔离。

3.根据权利要求2所述的用于2微米波段的片上加热式锗光电探测器，其特征在于：所述TiN加热电极通过通孔结构连接到TiN加热层。

4.根据权利要求2所述的用于2微米波段的片上加热式锗光电探测器，其特征在于：所述两个电极分别通过通孔结构与N重掺杂硅层、P重掺杂硅层连接。

5.根据权利要求1~4任意一项所述的用于2微米波段的片上加热式锗光电探测器，其特征在于：所述N重掺杂硅层、P重掺杂硅层的宽度不小于1μm，且与锗吸收层的距离不小于1μm。

6.根据权利要求5所述的用于2微米波段的片上加热式锗光电探测器，其特征在于：所述锗吸收层的宽度不小于500 nm。

7.根据权利要求6所述的用于2微米波段的片上加热式锗光电探测器，其特征在于：所述P轻掺杂硅电荷层的宽度为50-300nm。

8.根据权利要求6所述的用于2微米波段的片上加热式锗光电探测器，其特征在于：所述硅倍增层的宽度为200-1000nm。

9.根据权利要求7所述的用于2微米波段的片上加热式锗光电探测器，其特征在于：所述硅本征层的宽度不小于0.6μm。

10.根据权利要求9所述的用于2微米波段的片上加热式锗光电探测器，其特征在于：所述电极与锗吸收层之间的距离不小于1.5μm。