[发明专利]一种电源管理芯片保护电路

权利要求书

1.一种电源管理芯片保护电路，其特征在于，包括电源端、接地端、侦测电路、与所述侦测电路连接的反相单元的输入端、与所述反相单元连接的钳位单元和电源管理芯片，所述侦测电路、所述钳位单元和所述电源管理芯片连接至所述电源端和所述接地端之间；

所述钳位单元包括与所述反相单元连接的两个开关管、以及位于两个所述开关管之间的半导体器件，所述半导体器件包括第一导电类型的第一掺杂区、位于所述第一掺杂区上的第二导电类型的第一阱区、形成在所述第一阱区上的第一导电类型的第二阱区、自所述第二阱区延伸至所述第一阱区的两个第一导电类型的第二掺杂区、以及形成在所述第二阱区的第三掺杂区，所述第二掺杂区与所述开关管的漏极连接，所述第一掺杂区与所述开关管的源极连接，两个所述开关管的栅极与所述反相单元的输出端连接；

其中，所述侦测电路用于检测所述电源端的浪涌电压，并经过所述反相单元输出至两个所述开关管的栅极以开启所述钳位单元，所述钳位单元将所述浪涌电压从所述接地端释放。

2.根据权利要求1所述的电源管理芯片保护电路，其特征在于，所述侦测电路包括至少一个电阻和至少一个电容、并联在所述电源端和所述接地端的PMOS管、NMOS管，所述PMOS管的源极与所述电源端连接，所述PMOS管的栅极与所述NMOS管的栅极连接并位于所述电阻和所述电容的连接处，所述PMOS管的漏极与所述NMOS管的漏极连接，所述NMOS管的源极与所述接地端连接。

3.根据权利要求1所述的电源管理芯片保护电路，其特征在于，所述反相单元为二极管，所述二极管的阳极与所述侦测电路的输出端连接，所述二极管的阴极与所述钳位单元连接。

4.根据权利要求3所述的电源管理芯片保护电路，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，所述开关管为NMOS管。

5.根据权利要求1所述的电源管理芯片保护电路，其特征在于，所述反相单元为反相器，所述反相器的输入端与所述侦测电路的输出端连接，所述反相器的输出端与所述钳位单元连接。

6.根据权利要求5所述的电源管理芯片保护电路，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，所述开关管为PMOS管。

7.根据权利要求1所述的电源管理芯片保护电路，其特征在于，所述电源管理芯片包括电压转换模块，所述电压转换模块用于将直流电压转换为交流电压，或将交流电压转换为直流电压。

8.根据权利要求7所述的电源管理芯片保护电路，其特征在于，所述电源管理芯片还包括脉冲调节模块，所述脉冲调节模块用于驱动外部开关。

9.根据权利要求1所述的电源管理芯片保护电路，其特征在于，所述第一阱区与所述第二阱区的掺杂浓度相同。

10.根据权利要求1所述的电源管理芯片保护电路，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第三掺杂区的掺杂浓度相同。