[发明专利]静电卡盘的温度控制方法及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种静电卡盘的温度控制方法，其特征在于，包括：

确定静电卡盘ESC的温度控制模式，其中所述温度控制模式包括升温控制模式或降温控制模式；

确定所述温度控制模式所对应的初始加热功率、稳态功率和功率转换时间，其中所述功率转换时间为所述ESC的温度达到所述温度控制模式所对应的预设目标温度时的时间；

通过所述初始加热功率对所述ESC进行温度控制，并在所述ESC的温度达到所述预设目标温度时通过所述稳态功率对所述ESC进行温度控制；

若所述温度控制模式为所述升温控制模式，确定所述温度控制模式所对应的稳态功率和功率转换时间，包括：

通过下述第一公式确定所述升温控制模式所对应的功率转换时间，并通过下述第二公式确定所述升温控制模式所对应的稳态功率；

所述第一公式为：

；

所述第二公式为：

；

其中，表示所述升温控制模式所对应的功率转换时间，表示所述升温控制模式所对应的稳态功率，表示密度，表示玻尔兹曼常数，表示等压热容，表示最大加热功率，表示所述ESC的初始温度，表示所述升温控制模式所对应的预设目标温度，为预先设定值且为正数。

2.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，所述在所述ESC的温度达到所述预设目标温度时通过所述稳态功率对所述ESC进行温度控制之后，还包括：

在预设时段内通过温度传感器监测所述ESC的温度值，若监测到所述温度值的变动量处于预设范围内，则持续以所述稳态功率对所述ESC进行温度控制，直至达到所述ESC的所需温控时间。

3.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，所述确定所述温度控制模式所对应的初始加热功率，包括：

若所述温度控制模式为所述升温控制模式，则所述初始加热功率为最大加热功率；

若所述温度控制模式为所述降温控制模式，则所述初始加热功率为零。

4.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，所述静电卡盘中设置有至少两个冷却通道，所述至少两个冷却通道用于通入温度不同的冷却介质；

所述温度控制方法还包括：

若所述温度控制模式为所述升温控制模式，控制通入温度最高的冷却介质的冷却通道对所述ESC进行温度控制；

若所述温度控制模式为所述降温控制模式，控制通入温度最低的冷却介质的冷却通道对所述ESC进行温度控制。

5.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，若所述温度控制模式为所述降温控制模式，确定所述温度控制模式所对应的稳态功率和功率转换时间，包括：

通过下述第三公式确定所述降温控制模式所对应的功率转换时间，并通过下述第四公式确定所述降温控制模式所对应的稳态功率；

所述第三公式为：

；

；

其中，表示所述降温控制模式所对应的功率转换时间，表示所述降温控制模式所对应的稳态功率，表示密度，表示玻尔兹曼常数，表示等压热容，表示所述ESC的初始温度，表示所述降温控制模式所对应的预设目标温度，为预先设定值且为负数。