[发明专利]半导体电路及使用其的封装结构及封装结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体电路，其特征在于，包括驱动HVIC芯片、高侧驱动模块和低侧驱动模块；

所述驱动HVIC芯片与所述高侧驱动模块电连接，所述高侧驱动模块包括三个上桥功率元件，所述上桥功率元件为RC-IGBT结构；

所述驱动HVIC芯片与所述低侧驱动模块电连接，所述低侧驱动模块包括三个下桥功率元件，所述下桥功率元件包括IGBT管和续流二极管；

所述上桥功率元件的输入端与所述驱动HVIC芯片电连接，所述上桥功率元件的输出端与所述下桥功率元件的控制端电连接，三个所述上桥功率元件的控制端电连接并作为电路的驱动端P；

所述下桥功率元件的输入端与所述驱动HVIC芯片电连接，三个所述下桥功率元件的输出端分别作为电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种半导体电路，其特征在于，所述RC-IGBT结构包括三极管和n型半导体，所述n型半导体嵌入在所述三极管的集电极的p区内；所述三极管的基极作为RC-IGBT结构的G端与所述驱动HVIC芯片电连接，所述三极管的集电极作为RC-IGBT结构的C端与电路的驱动端P电连接，所述三极管的发射极作为RC-IGBT结构的E端与所述上桥功率元件电连接。

3.根据权利要求2所述的一种半导体电路，其特征在于，所述IGBT管的G端与所述驱动HVIC芯片电连接，所述IGBT管的C端与RC-IGBT结构的E端电连接，所述IGBT管的E端作为电路的输出端；所述续流二极管的负极端与所述IGBT管的C端电连接，所述续流二极管的正极端与所述IGBT管的E端电连接。

4.根据权利要求1所述的一种半导体电路，其特征在于，所述驱动HVIC芯片还包括电源模块、过流保护模块、互锁与死区模块和报错模块；所述电源模块与外部电源电连接，并为驱动HVIC芯片内的模块提供电源电压和基准电压；所述过流保护模块与所述高侧驱动模块和所述低侧驱动模块电连接，用于提供过流保护功能；所述互锁与死区模块连接于所述高侧驱动模块和所述低侧驱动模块之间，用于提供互锁和死区功能；所述报错模块与所述高侧驱动模块和所述低侧驱动模块电连接，用于出现欠压、过流、过压或过温时，发出报错功能。

5.一种使用上述权利要求1至4任意一项的半导体电路的封装结构，其特征在于，包括电路铝基板、绝缘层、电路布线层、电路元件、引脚以及封装树脂；

所述绝缘层设置在所述电路铝基板的上表面，所述电路布线层设置在所述绝缘层的上表面，所述电路元件设置在所述电路布线层上且与所述电路布线层电连接，所述引脚的一端与所述电路布线层电连接，所述引脚的另一端延伸至所述封装树脂的外侧；所述封装树脂封装于所述电路铝基板以及所述电路元件的外围；

所述电路元件包括驱动HVIC芯片、高侧驱动模块和低侧驱动模块；所述驱动HVIC芯片与所述高侧驱动模块电连接，所述驱动HVIC芯片与所述低侧驱动模块电连接。

6.根据权利要求5所述的一种封装结构，其特征在于，还包括连接线，所述连接线用于连接所述电路元件与所述电路布线层。

7.根据权利要求5所述的一种封装结构，其特征在于，所述引脚之间设置有加强筋；所述电路铝基板的背面设置有凹凸的纹理结构。