[发明专利]一种NTD单晶硅退火工艺

权利要求书

1.一种NTD单晶硅退火工艺，其特征在于，该退火工艺包括如下步骤：

S1、NTD单晶硅切割样片；利用切割设备切割NTD单晶硅头尾两端的NTD单晶硅样片；

S2、NTD单晶硅样片热处理；对切割后的NTD单晶硅样片进行酸腐清洗，酸腐清洗后的NTD单晶硅样片入炉进行热处理退火；

S3、NTD单晶硅样片检验判定及加工；对完成退火后的NTD单晶硅样片进行研磨酸腐清洗处理，以去除NTD单晶硅样片表面氧化层进行电阻率测试并判定是否符合目标电阻率；若符合目标电阻率，则对未退火的NTD单晶进行晶片加工。

2.根据权利要求1所述的一种NTD单晶硅退火工艺，其特征在于：步骤S1中，NTD单晶硅直径为200mm及以上，电阻率大于2000ohm.cm。

3.根据权利要求1所述的一种NTD单晶硅退火工艺，其特征在于，步骤S1具体方法为：对单晶硅进行中子辐照处理得到NTD单晶硅，然后采用内圆或带锯切割设备进行样片切割，切割的厚度为1-3mm。

4.根据权利要求1所述的一种NTD单晶硅退火工艺，其特征在于，步骤S2中的热处理退火，其工艺为：通入氮气、湿氧或干氧保护性气体，温度升温至1000-1200℃，恒温时间为1-2h，降温50-100℃/h逐步冷却。

5.根据权利要求4所述的一种NTD单晶硅退火工艺，其特征在于：步骤S2中，通入的保护性气体的流量为1-2L/min。

6.根据权利要求1所述的一种NTD单晶硅退火工艺，其特征在于，步骤S3中的电阻率测试方法具体为：对退火后的NTD单晶硅片研磨酸腐清洗后，采用四探针进行电阻率及微波光电导设备进行少子寿命测试，其测试少子寿命1000us，电阻率一致性RRV5％,电阻率符合目标电阻率，进行单晶晶片加工。