[发明专利]一种用作久储相变存储介质的Ru-Sb-Te合金溅射靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种用作久储相变存储介质的高性能Ru-Sb-Te合金溅射靶材，其特征在于所述Ru-Sb-Te合金溅射靶材由原料钌Ru、锑Sb和碲Te按化学式Ru_x(Sb₂Te₃)_100-x组成的合金靶材，其中，x为Ru元素的原子百分比，1≤x≤10；所述原料为Ru、Sb、Te三种单质金属，或任意两种元素组成的化合物。

2.根据权利要求1所述的用作久储相变存储介质的高性能Ru-Sb-Te合金溅射靶材，其特征在于所述化学式Ru_x(Sb₂Te₃)_100-x中，x=3。

3.根据权利要求1所述的用作久储相变存储介质的高性能Ru-Sb-Te合金溅射靶材，其特征在于所述化学式Ru_x(Sb₂Te₃)_100-x中，x=5。

4.一种根据权利要求1~3任意一项所述的用作久储相变存储介质的高性能Ru-Sb-Te合金溅射靶材的制备方法，其特征在于所述制备方法由原料准备、粉末制备、加压烧结、加工成型工艺步骤实现，具体为：

（1）原料准备：以钌、锑、碲或其任意两种元素的化合物为原料，按配比备料，其中配料时Ru按化学计量比添加、Sb过量2~8wt.%、Te过量6~16wt.%投料，通过熔铸法制备Ru-Sb-Te合金；

（2）粉末制备：通过机械破碎、筛分获得Ru-Sb-Te合金粉末，机械破碎为机械研磨或球磨；采用行星球磨时，优先选用氧化锆磨球，研磨球料比在4:1~1:1之间，转速在100~300r/min之间，时间1-5h；

（3）加压烧结：通过加压烧结获得Ru-Sb-Te靶材坯锭；

（4）加工成型：通过机械加工获得Ru-Sb-Te靶材，所选用的机加工优选采用磨削，磨削时采用碳化硅或刚玉材质的砂轮。

5.根据权利要求4所述的用作久储相变存储介质的高性能Ru-Sb-Te溅射靶材的制备方法，其特征在于所述步骤（1）熔铸法通过真空熔炼实现，其真空度为1×10^-2Pa~1×10^-4Pa，温度为600~1100℃。

6.根据权利要求4所述的用作久储相变存储介质的高性能Ru-Sb-Te溅射靶材的制备方法，其特征在于所述步骤（3）加压烧结为热等静压烧结，烧结温度为450~600℃，时间为1~4h，压力为20~100MPa。

7.根据权利要求4所述的用作久储相变存储介质的高性能Ru-Sb-Te溅射靶材的制备方法，其特征在于所述步骤（3）加压烧结为真空热压，烧结温度为500~650℃之间,时间为1~4h，压力为20~60Mpa。

8.根据权利要求4所述的用作久储相变存储介质的高性能Ru-Sb-Te溅射靶材的制备方法，其特征在于所制备的Ru-Sb-Te合金溅射靶材与背板进行绑定，绑定方法可以是锡焊也可以是扩散焊。

9.一种根据权利要求1~3、5~8任意一项所述的Ru-Sb-Te合金溅射靶材用于制备可长期保存数据的相变存储用介质。