[发明专利]基于微环谐振腔的MOEMS三轴加速度传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202210344926.7 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114839397B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 王融汇;孙成亮;蔡耀;范宇晨;刘炎;许秉乾 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G01P15/03 | 分类号： | G01P15/03;B81C1/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 郑勤振 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 谐振腔 moems 加速度 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于微环谐振腔的MOEMS三轴加速度传感器，其特征在于，包括含有空腔的基底以及相互耦合的直波导和微环谐振腔，所述空腔上方为一层薄膜，所述薄膜下方附着有质量块，四个所述微环谐振腔位于所述空腔上方的所述薄膜上，且围绕所述薄膜的中心呈圆周阵列，相邻所述微环谐振腔间距为90°，两组所述直波导位于所述基底上，每组所述直波导具有一个入射端和两个出射端，每一个所述微环谐振腔分别与一个所述出射端相耦合。
2.根据权利要求1所述的基于微环谐振腔的MOEMS三轴加速度传感器，其特征在于，所述薄膜和/或所述质量块的横截面为圆形。
3.一种如权利要求1或2所述的基于微环谐振腔的MOEMS三轴加速度传感器制备方法，其特征在于，包括：
在基底上刻蚀一个空腔；
在所述空腔中沉积牺牲层，使其与所述基底上表面齐平；
在所述牺牲层中刻蚀凹槽；
在所述凹槽中沉积材料形成质量块，使其与所述基底上表面齐平；
在所述基底上表面沉积一层薄膜；
在所述薄膜上刻蚀一个释放孔，通入腐蚀性气体，去除所述空腔中的所述牺牲层；
在所述薄膜上表面沉积光波导材料，将光波导材料刻蚀成相互耦合的直波导和微环谐振腔，四个所述微环谐振腔位于所述空腔上方的所述薄膜上，且围绕所述薄膜的中心呈圆周阵列，相邻所述微环谐振腔间距为90°，两组所述直波导位于所述基底上，每组所述直波导具有一个入射端和两个出射端，每一个所述微环谐振腔分别与一个所述出射端相耦合。
4.根据权利要求3所述的加速度传感器制备方法，其特征在于，所述薄膜和/或所述质量块的横截面为圆形。
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