[发明专利]五价金属元素掺杂氧化钼薄膜的制备方法及硅异质结太阳电池在审
| 申请号： | 202210346605.0 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114823347A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王朋;刘粲;林宇昊;吴小平;徐凌波;林萍;崔灿 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;H01L31/032;H01L31/0336;H01L31/074 |
| 代理公司： | 郑州丞企知识产权代理事务所(普通合伙) 41204 | 代理人： | 柳恒雨 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属元素 掺杂 氧化钼 薄膜 制备 方法 硅异质结 太阳电池 | ||
1.一种五价金属元素掺杂氧化钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
一、将钼粉溶解于无水乙醇中，然后滴入过氧化氢，搅拌至溶液呈蓝色，得到氧化钼溶液；
二、称取五氧化二钒粉末、五氯化铌粉末或五氯化钽粉末，溶解于适量无水乙醇，搅拌至溶液澄清；
三、取一定量的氧化钼溶液，按照一定摩尔比向其中滴入五氧化二钒溶液、五氯化铌溶液或五氯化钽溶液，超声至溶液澄清；
四、将步骤三中的氧化钼溶液滴加到硅片表面，然后将硅片转移到匀胶机上旋涂，旋涂结束后将硅片转移到加热台退火处理，即可得到均匀致密的五价金属元素掺杂的氧化钼薄膜。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤三中五氧化二钒、五氯化铌或五氯化钽与氧化钼的摩尔比为0.01-0.20：1。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤四中旋涂的速度为500-8000rpm，旋涂的时间为10-60s。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤四中加热台退火处理的温度为60-200℃，加热台退火处理的时间为5-20min。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤二中搅拌至溶液澄清的搅拌时间为30min以上；
所述步骤三中超声至溶液澄清的超声时间为30min以上。
6.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述硅异质结太阳能电池从上至下依次包括银电极栅线、氮化硅钝化层、N型发射极、P型单晶硅衬底、空穴传输层和银电极，所述空穴传输层由权利要求1-5任意一项的制备方法制备而得的五价金属元素掺杂的氧化钼薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
