[发明专利]钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜的制备方法及应用

权利要求书

1.一种钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

一、称取六氯化钨粉末，溶解于正丙醇，搅拌至溶液呈蓝色，获得六氯化钨溶液；

二、称取五氧化二钒粉末、五氯化铌粉末或五氯化钽粉末，溶解于无水乙醇，搅拌30min至溶液澄清；

三、向六氯化钨溶液中滴入五氧化二钒溶液、五氯化铌溶液或五氯化钽溶液，超声30min，获得含混合六氯化钨的混合溶液；

四、将步骤三中的含混合六氯化钨的混合溶液均匀滴加到衬底表面，然后将衬底转移到匀胶机上旋涂，旋涂结束后将衬底转移到加热台低温退火，即可得到钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤三中五氧化二钒、五氯化铌或五氯化钽与六氯化钨的摩尔比为0.01-0.20：1。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤四中旋涂的速度为500-9000rpm，旋涂的时间为10-60s。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤四中低温退火的温度为80-200℃。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为玻璃或硅。

6.一种以权利要求1-4任意一项所述制备方法制备的钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜作为空穴传输层应用于硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述硅异质结太阳能电池从上至下依次包括银电极栅线、氮化硅钝化层、N型发射极、P型单晶硅衬底、钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜空穴传输层和银电极。