[发明专利]五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜的制备方法及应用在审
| 申请号： | 202210346612.0 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114823346A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王朋;刘粲;魏亚菊;林宇昊;吴越;吴小平;崔灿 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L31/032;H01L31/0336;H01L31/074 |
| 代理公司： | 郑州丞企知识产权代理事务所(普通合伙) 41204 | 代理人： | 柳恒雨 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属元素 掺杂 金属 氧化物 薄膜 制备 方法 应用 | ||
1.一种五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
一、将金属氧化物粉末和五价金属元素氧化物研磨混合，并置于蒸发舟中，其中，五价金属元素氧化物包括五氧化二钒粉末、氧化铌粉末或氧化钽粉末，金属氧化物粉末包括三氧化钨粉末或三氧化钼粉末；
二、将衬底插入热蒸发设备腔体顶部的样品槽中；
三、将腔体抽真空，直到真空度小于10-3Pa；
四、缓慢增加电流到90A后，打开挡板开始蒸镀，蒸镀一定厚度后关闭挡板，然后关闭电源，自然冷却后取出样品，即可得到五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜，五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜包括钒、铌或钽掺杂的氧化钨薄膜，以及钒、铌或钽掺杂的氧化钼薄膜。
2.如权利要求1的制备方法，其特征在于，步骤一中五价金属元素氧化物与金属氧化物的摩尔比为0.01-0.10：1。
3.如权利要求1的制备方法，其特征在于，步骤四蒸镀的速度为
4.如权利要求1的制备方法，其特征在于，步骤四蒸镀的厚度为5-40nm。
5.如权利要求4的制备方法，其特征在于，步骤四蒸镀的厚度为5-30nm。
6.如权利要求1的制备方法，其特征在于，衬底包括玻璃衬底和晶硅衬底。
7.一种以权利要求1-5任意一项制备方法制备的五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜作为空穴传输层应用于晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，晶硅异质结太阳能电池从上至下依次包括：银电极栅线、氮化硅钝化层、N型发射极、P型单晶硅衬底、五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜空穴传输层和银电极，其中，五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜空穴传输层包括钒、铌或钽掺杂的氧化钨薄膜，以及钒、铌或钽掺杂的氧化钼薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
