[发明专利]半导体器件的制作方法、半导体器件以及三维存储装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区域和第二区域；

在所述第一区域和所述第二区域上依次形成氧化层和第一掩膜层；

在所述衬底中形成位于所述第一区域的第一浅沟槽隔离结构以及位于所述第二区域的第二浅沟槽隔离结构；

依次刻蚀位于所述第二区域的第一掩膜层、所述第二浅沟槽隔离结构以及氧化层，以于所述第二区域形成为所述第二浅沟槽隔离结构所隔开的突起结构，并保留位于所述第一区域的第一掩膜层和氧化层，以于所述第一区域分别形成第一栅极层和第一栅氧化层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第一区域和所述第二区域上依次形成氧化层和第一掩膜层，包括：

在所述第一区域和所述第二区域上形成氧化层，位于所述第一区域的氧化层的厚度大于所述位于所述第二区域的氧化层的厚度；

在位于所述第二区域的氧化层上形成平坦层，所述平坦层与位于所述第一区域的氧化层平齐；

在位于所述第一区域的氧化层以及所述第二区域的所述平坦层上形成第一掩膜层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底中形成位于所述第一区域的第一浅沟槽隔离结构以及位于所述第二区域的第二浅沟槽隔离结构，包括：

在所述衬底中形成隔离槽，所述隔离槽包括位于第一区域的第一子隔离槽以及位于第二区域的第二子隔离槽；

在所述隔离槽中填充隔离材料，以分别在所述第一区域和所述第二区域形成所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述依次刻蚀位于所述第二区域的第一掩膜层、所述第二浅沟槽隔离结构以及氧化层，包括：

在所述第一掩膜层、所述第一浅沟槽隔离结构以及所述第二浅沟槽隔离结构上依次形成第二掩膜层和位于第一区域的光刻胶层；

以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀去除位于所述第二区域的第二掩膜层和第一掩膜层；

以剩余的第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二浅沟槽隔离结构以形成所述突起结构；

去除所述剩余的第二掩膜层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述依次刻蚀位于所述第二区域的第一掩膜层、所述第二浅沟槽隔离结构以及氧化层，以于所述第二区域形成为所述第二浅沟槽隔离结构所隔开的突起结构，并保留位于所述第一区域的第一掩膜层和氧化层以分别作为所述第一区域的第一栅极层和第一栅氧化层之后，还包括：

在所述突起结构的表面形成所述第二区域的第二栅氧化层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述突起结构的表面形成所述第二区域的第二栅氧化层之后，还包括：

在所述第一区域的第一栅极层和第一浅沟槽隔离结构以及所述第二区域的第二栅氧化层和第二浅沟槽隔离结构上形成第二栅极层；

对所述第二栅极层进行图案化，以形成在所述第一区域的第一栅极结构和在所述第二区域的第二栅极结构。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一区域为高压器件区，所述第二区域为低压器件区，且所述低压器件区包括第一低压区和第二低压区；于所述第二区域的所述第二浅沟槽隔离结构包括至少两个，且所述第一低压区和所述第二低压区各形成有至少一个所述第二浅沟槽隔离结构。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为多晶硅。

9.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二掩膜层为氮化硅。