[发明专利]晶圆键合方法、键合晶圆、存储器芯片以及半导体器件

权利要求书

1.一种晶圆键合方法，其特征在于，所述方法包括：

提供多个待键合晶圆，每个所述待键合晶圆的表面具有介质层，且所述介质层内具有键合凹槽；

在所述键合凹槽内填充导电材料，以形成具有第一晶粒尺寸的预键合触点；

对至少两个所述待键合晶圆进行键合对准，使得所述待键合晶圆上的所述预键合触点一一接触；

进行退火处理，使得至少两个所述待键合晶圆键合，所述预键合触点键合为具有第二晶粒尺寸的融合键合触点。

2.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述第一晶粒尺寸小于所述第二晶粒尺寸。

3.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述在所述键合凹槽内填充导电材料，以形成具有第一晶粒尺寸的预键合触点，包括：

在所述键合凹槽的内壁和底部形成种子层；

在所述种子层上形成填充所述键合凹槽的导电材料层。

4.如权利要求3所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述在所述键合凹槽内填充导电材料，以形成具有第一晶粒尺寸的预键合触点，还包括：

对所述待键合晶圆的表面进行平坦化处理，去除所述导电材料层以暴露出所述介质层的上表面，位于所述键合凹槽内的所述导电材料层构成具有第一晶粒尺寸的所述预键合触点。

5.如权利要求4所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述在所述种子层上形成填充所述键合凹槽的导电材料层和所述对所述待键合晶圆的表面进行平坦化处理之间的时间间隔为0至15天。

6.如权利要求4所述的晶圆键合方法，其特征在于，对所述待键合晶圆的表面进行平坦化处理，去除所述导电材料层的步骤中，所述导电材料层的晶粒尺寸小于100nm。

7.如权利要求3所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述在所述键合凹槽的内壁和底部形成种子层之前，所述方法还包括：

在所述键合凹槽的内壁和底部形成阻挡层。

8.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述在所述键合凹槽内填充导电材料，包括：

使用电化学镀膜工艺或者溅射镀膜工艺在所述键合凹槽内填充导电材料。

9.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述退火处理的温度范围为200℃至400℃，所述退火处理的时间范围为30分钟至6小时。

10.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述第一晶粒尺寸的晶粒范围为30nm至100nm。

11.一种键合晶圆，其特征在于，所述键合晶圆通过如权利要求1至10中任一项所述的键合方法得到。

12.一种存储器芯片，其特征在于，所述存储器芯片通过对权利要求11所述的键合晶圆加工后得到。

13.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件通过对权利要求11所述的键合晶圆加工后得到。