[发明专利]LED芯片的转移装置、芯片的装配工艺和显示屏

说明书

本申请提供一种LED芯片的转移装置、芯片的装配工艺和显示屏，LED芯片的转移装置转移头，转移头具有安装侧，转移头被配置为将芯片固定于安装侧，并移动芯片；第一磁性件，第一磁性件设置于转移头上，并可对安装侧的磁性物料施加磁性吸附力，和/或，被安装侧的磁性物料施加磁性吸附力；第二磁性件，第二磁性件与第一磁性件间隔设置于转移头上，第二磁性件可对安装侧的磁性物料施加磁性吸附力，和/或，被安装侧的磁性物料施加磁性吸附。本申请提供的LED芯片的转移装置有利于提高产品的良率。

技术领域

本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种LED芯片的转移装置、芯片的装配工艺和显示屏。

背景技术

随着技术的发展，人们对MicroLED(微米发光二极管)的使用越来越广泛。在其装配的过程中，需要将LED芯片转移到电路基板上。在转移和安装的过程中，需要在LED芯片的P极和N极上设置锡膏，将锡膏融化后将LED芯片安装至电路基板上。由于P极和N极的距离非常近，容易使得融化后的锡膏连接在一起，导致P极和N极短路。使得产品的良率得不到保障，不利于MicroLED的使用。

发明内容

本申请实施例提供一种LED芯片的转移装置、芯片的装配工艺和显示屏，以解决现有的P极和N极上的锡膏容易连接的问题。

第一方面，本申请实施例提供一种LED芯片的转移装置，包括：

转移头，所述转移头具有安装侧，转移头被配置为将芯片固定于安装侧，并移动芯片；

第一磁性件，所述第一磁性件设置于所述转移头上，并可对安装侧的磁性物料施加磁性吸附力，和/或，被安装侧的磁性物料施加磁性吸附力；

第二磁性件，所述第二磁性件与第一磁性件间隔设置于所述转移头上，所述第二磁性件可对安装侧的磁性物料施加磁性吸附力，和/或，被安装侧的磁性物料施加磁性吸附。

可选地，所述第一磁性件的一端与转移头连接，另一端向下延伸并凸出于转接头的底部；和/或，

所述第二磁性件的一端与转移头连接，另一端向下延伸并凸出于转接头的底部。

可选地，所述第一磁性件凸出部分的磁性，与第二磁性件凸出部分的磁性相同。

可选地，LED芯片的P电极和N电极上设置有锡膏，所述锡膏内含有磁性微粒；

安装侧具有芯片安装位，芯片安装位被配置为安装LED芯片，所述第一磁性件临近P电极设置，所述第二磁性件临近N电极设置。

可选地，所述第一磁性件呈片状设置，所述第一磁性件的片面朝向P电极；所述第二磁性件呈片状设置，所述第二磁性件的片面朝向N电极。

可选地，所述第一磁性件包括电磁铁、永磁铁，以及磁石中任意一种或者多种；所述第二磁性件包括电磁铁、永磁铁，以及磁石中任意一种或者多种；

所述磁性微粒由三氧化二铁、四氧化二铁钴、四氧化二铁镍、四氧化二铁锰、四氧化三铁、金属铁、钴，以及镍中的任意一种或者多种制成。

可选地，所述磁性微粒由三氧化二铁、四氧化二铁钴、四氧化二铁镍、四氧化二铁锰，以及四氧化三铁中的任意一种或者多种制成；

所述第一磁性件和第二磁性件包括电磁铁、永磁铁、磁石，以及金属铁、钴、镍中的任意一种或者多种。

第二方面，本申请实施例还提供一种芯片的装配工艺，所述芯片的装配工艺使用如上述任一项所述的LED芯片的转移装置；

芯片的装配工艺包括：

转移头抓取LED芯片，使得芯片的P电极临近转移装置的第一磁性件设置，芯片的N电极临近转移装置的第二磁性件设置；