[发明专利]阵列基板及其长膜修补方法在审
申请号: | 202210350480.9 | 申请日: | 2022-04-02 |
公开(公告)号: | CN114784017A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 谢菲菲;刘梦阳 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄锐 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 修补 方法 | ||
本申请实施例公开了一种阵列基板、一种阵列基板长膜修补方法,该阵列基板包括衬底、设置于衬底上方的异常线和修复线,异常线包括至少一异常段、位于异常段两端的导通段,修复线包括本体段、与本体段相连的延伸段,所述延伸段与所述异常段两端的导通段在连接处同层且连接设置,且连接孔内未设置异常线;通过在长膜修补时去除连接孔处的异常线,避免连接孔内存在异常线,修复线与异常线的连接不受连接孔内异常线厚度的影响,提升了长膜修补良率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、一种阵列基板长膜修补方法。
背景技术
在完成阵列基板制程后,异常线可以包括数据线和扫描线会存在断裂现象,需要进行长膜修补,而长膜修补需跨异常线进行爬坡,受异常线长膜修补位置的膜厚影响,修复线的长膜固体爬坡容易出现金属导通能力减弱的现象,因此造成长膜修补失败产生新的线不良。
因此,现有阵列基板存在长膜修补良率低的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板、一种阵列基板长膜修补方法,可以缓解现有阵列基板存在长膜修补良率低的技术问题。
本申请实施例提供一种阵列基板,包括:
衬底;
异常线,所述异常线设置于所述衬底上方,所述异常线包括至少一异常段、位于所述异常段两端的导通段;
修复线,所述修复线设置于所述衬底上方,所述修复线包括本体段、与所述本体段相连的延伸段,所述延伸段包括位于所述本体段一端的第一连接部、位于所述本体段另一端的第二连接部;
其中,所述第一连接部、所述第二连接部通过连接孔分别与所述异常段两端的所述导通段连接,所述第一连接部、所述第二连接部与所述异常段两端的所述导通段在连接处同层设置。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述修复线与所述异常线异层设置。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述异常线上开设有连接孔,所述连接孔为过孔,所述过孔内设置有所述延伸段,所述过孔位于所述异常段与所述导通段之间。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述异常线为数据线或扫描线,所述衬底、所述异常线上方还设置有第一钝化层、色阻层、第二钝化层,所述连接孔包括所述第一连通孔、所述第二连通孔,所述第一连通孔、所述第二连通孔均贯穿所述第一钝化层、所述色阻层、所述第二钝化层设置,所述第一连接部设置于所述第一连通孔内,所述第二连接部设置于所述第二连通孔内。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述异常段与两端所述导通段连接设置,或,异常段与其两端所述导通段间隔设置。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一连接部与所述导通部的接触面积,等于所述第二连接部与所述导通部的接触面积。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述连接孔为槽孔,所述槽孔内设置有所述本体段、所述延伸段,所述修复线与所述异常线同层设置,所述本体段与所述异常线错位设置。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述修复线上还设置有保护层,所述保护层覆盖所述修复线设置。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述修复线的制备材料包括钨,所述异常线的制备材料包括铜。
本申请实施例提供一种阵列基板长膜修补方法,包括:
提供一待修复阵列基板,所述待修复阵列基板至少包括一异常线,所述异常线包括至少一异常段、位于所述异常段两端的导通段;
去除异常段两端连接位置的至少部分所述异常线及其上方膜层,形成连接孔;
形成修复线,所述修复线至少部分位于所述连接孔内,所述修复线分别与所述异常段两端的导通段连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的