[发明专利]偏振成像传感器及电子设备在审
申请号: | 202210352934.6 | 申请日: | 2022-04-02 |
公开(公告)号: | CN114843298A | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 周常毅 | 申请(专利权)人: | 维沃移动通信有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B3/00;G02B5/30 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 周礼涛 |
地址: | 523863 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏振 成像 传感器 电子设备 | ||
本申请公开了一种偏振成像传感器及电子设备,偏振成像传感器包括:超构透镜,超构透镜将第一入射光分解为第一偏振态光和第二偏振态光,第一偏振态光的偏振角度与第二偏振态光的偏振角度不同;光电器件,包括第一光电单元和第二光电单元,第一偏振态光入射至第一光电单元,第二偏振态光入射至第二光电单元。本申请通过设计超构透镜和光电器件,取代偏振滤光片的设计,超构透镜能够将第一入射光进行矢量分解,分解成具有不同偏振角度的第一偏振态光和第二偏振态光,分解后的具有不同偏振角度的第一偏振态光和第二偏振态光能够分别聚焦到光电器件的第一光电单元和第二光电单元上,保证偏振成像传感器的消光比的同时,有效提升透光率。
技术领域
本申请属于电子产品技术领域,具体涉及一种偏振成像传感器和具有该偏振成像传感器的电子设备。
背景技术
传统的图像传感器通常只能感知光的部分参数,例如光的亮度、颜色和传播方向,但是对于光的偏振特性无法被记录。而偏振成像传感器能够将人眼无法察觉的光的偏振特性(光波振动方向)可视化,丰富了应用场景。
现有的偏振成像传感器通常由偏振滤光片、微透镜和光电二极管组成,其中,偏振滤光片通常采用金属加工成线性狭缝的光栅构成,其只能允许透过某一矢量振动方向的光,而吸收(或反射)与其垂直振动的光。为了使偏振成像传感器具有较高的消光比,所采用的偏振滤光片会极大地降低像元的透光率,导致偏振滤光片的消光比和透光率的特性难以兼顾。
发明内容
本申请旨在提供一种偏振成像传感器及电子设备,至少能够解决现有技术中的偏振成像传感器无法同时兼顾消光比和透光率的问题。
为了解决上述技术问题,本申请是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供了一种偏振成像传感器,包括:超构透镜,所述超构透镜将第一入射光分解为第一偏振态光和第二偏振态光,所述第一偏振态光的偏振角度与所述第二偏振态光的偏振角度不同;光电器件,包括第一光电单元和第二光电单元,所述第一偏振态光入射至所述第一光电单元,所述第二偏振态光入射至所述第二光电单元。
第二方面,本申请实施例提供了一种电子设备,包括上述实施例中的偏振成像传感器。
在本申请实施例中,通过设计超构透镜和光电器件,取代偏振滤光片的设计,超构透镜能够将第一入射光进行矢量分解,分解成具有不同偏振角度的第一偏振态光和第二偏振态光,分解后的具有不同偏振角度的第一偏振态光和第二偏振态光能够分别聚焦到光电器件的第一光电单元和第二光电单元上,保证偏振成像传感器的消光比的同时,有效提升透光率。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是根据本发明实施例的偏振成像传感器的结构示意图;
图2是根据本发明实施例的偏振成像传感器的分解示意图;
图3是根据本发明实施例的偏振成像传感器的一个剖面图;
图4是根据本发明实施例的偏振成像传感器的另一个剖面图;
图5是根据本发明实施例的偏振成像传感器的超构透镜的结构示意图;
图6是根据本发明实施例的偏振成像传感器的微透镜的结构示意图;
图7是根据本发明实施例的偏振成像传感器的一个光线路径示意图;
图8是根据本发明实施例的偏振成像传感器的另一个光线路径示意图;
图9是根据本发明实施例的偏振成像传感器的又一个光线路径示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的