[发明专利]一种磨片后简易超声清洗设备

说明书

本发明公开了一种磨片后简易超声清洗设备，包括柜体，所述柜体的内部横向排布设置有清洗槽，所述清洗槽的底部皆设置有超声波振板，所述超声波振板的一侧皆设置有加热管，所述柜体的底部一固定安装有放置框。该一种磨片后简易超声清洗设备，通过利用超声波的高能量,使物质分子产生显著的声压作用,使得液体分子排列易发生断裂，液体分子断裂后,其内出现许多泡状的小空腔,这些空腔在极短的时间内闭合,同时产生巨大的瞬时压力，可使浮悬在液体中的固体表面受到急剧的破坏作用,而磨片的砂浆的颗粒粒径在8.6μm左右，根据此原理，将磨片后硅片通过超声的方式将硅片表面大颗粒砂浆清洗干净，减少磨片后清洗压力，提高硅片表面洁净度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体为一种磨片后简易超声清洗设备。

背景技术

在米粒大的硅片上，已能集成16万个晶体管，这是科学技术进步的又一个里程碑，地壳中含量达25.8％的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉，由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一，硅片生产过程中需要通过清洗设备进行清洗消毒处理。

由于半导体晶圆制造对于成本的诉求日益增高，而大面积硅片在单位产出芯片的数量和单位成本具有优势，因此半导体硅衬底片的尺寸也趋于大直径化，从最早的2英寸、3英寸发展到当今的8英寸、12英寸及研发中的18英寸，硅片面积日益增加，随之带来的12寸晶圆片表面洁净度也有了新的要求，磨片清洗机设备无法将磨片后硅片表面硅粉去除干净，导致硅片无法达到后道加工条件。

发明内容

本发明的目的在于提供一种磨片后简易超声清洗设备，以解决上述背景技术中提出的现有的磨片清洗机设备无法将磨片后硅片表面硅粉去除干净，导致硅片无法达到后道加工条件的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种磨片后简易超声清洗设备，包括柜体，所述柜体的内部横向排布设置有清洗槽，所述清洗槽的底部皆设置有超声波振板，所述超声波振板的一侧皆设置有加热管，所述柜体的底部一固定安装有放置框，所述放置框的内侧纵向排布开设有放置槽，所述放置槽的内侧皆设置有超声波发生器，所述超声波发生器的一侧固定安装有温控器，所述清洗槽和放置槽的数量皆为两个。

优选的，所述温控器的下方设置有加热开关，且超声波发生器的一侧表面设置有超声开关。

优选的，所述清洗槽的顶部皆活动安装有密封盖，且密封盖的顶部皆通过螺栓固定安装有握把。

优选的，所述柜体的一侧表面活动卡合安装有检修板，且检修板的表面皆设置有拉环。

优选的，所述柜体的底部固定安装有支撑腿，且支撑腿和放置框的底部皆设置有支撑座。

优选的，所述清洗槽靠近顶部的一侧表面贯穿柜体固定安装有进水管，所述清洗槽靠近底部的一侧表面贯穿柜体固定安装有排水管，且进水管和排水管上皆设置有控制阀。

优选的，所述超声波发生器的超声频率为20-60KHZ，1000W，所述超声波清洗的药液配比水为清洗剂＝30L：0.8L，且超声波清洗的时间为10分钟。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

该一种磨片后简易超声清洗设备，通过利用超声波的高能量,使物质分子产生显著的声压作用,使得液体分子排列易发生断裂，液体分子断裂后,其内出现许多泡状的小空腔,这些空腔在极短的时间内闭合,同时产生巨大的瞬时压力，可使浮悬在液体中的固体表面受到急剧的破坏作用,而磨片的砂浆的颗粒粒径在8.6μm左右，根据此原理，将磨片后硅片通过超声的方式将硅片表面大颗粒砂浆清洗干净，减少磨片后清洗压力，提高硅片表面洁净度，使用超声清洗需搭配表面活性剂和热水减少砂浆和硅片表面的粘附性，从而使清洗洁净度达到100％。

附图说明

图1为本发明的立体图；