[发明专利]制造半导体封装件的方法、半导体封装件及成像设备

权利要求书

1.一种制造半导体封装件的方法，包括：

制备具有第一连接区域的基板和具有第二连接区域的传感器芯片；

在所述基板的所述第一连接区域上设置包括具有不同熔点梯度的多层纳米低熔点金属材料的第一键合层；

在所述传感器芯片的所述第二连接区域上设置包括具有不同熔点梯度的多层纳米低熔点金属材料的第二键合层；

将所述基板与所述传感器芯片彼此叠置以使所述第一键合层和所述第二键合层彼此对准并压紧，获得复合结构；并且

将所述复合结构在30-180℃的温度、1-8Mpa的压力、10-30kHz的超声波下处理一段时间以使所述第一键合层与所述第二键合层形成共晶体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多层纳米低熔点金属材料的每一层的熔点随着远离所述第一连接区域或所述第二连接区域而减小。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多层纳米低熔点金属材料的每一层包括金、银、铝、铜、锌、锡、铅、锑、铋、锂、铟、镁、镓、镉及其合金中的一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一键合层和所述第二键合层由不同的纳米低熔点金属材料组成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多层纳米低熔点金属材料的每一层的厚度为10-800纳米。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，处理所述复合结构的步骤包括阶梯式提高处理温度以达到最终反应温度，并且在达到所述最终反应温度之前包括至少一个保温阶段。

7.一种半导体封装件，包括：

基板，包括第一连接区域；

传感器芯片，包括第二连接区域；

第一键合层，在所述第一连接区域上；以及

第二键合层，在所述第二连接区域上，

其中，所述基板和所述传感器芯片通过由所述第一键合层和所述第二键合层形成共晶体而彼此结合，并且

其中，所述第一键合层和所述第二键合层均包括具有不同熔点梯度的多层纳米低熔点金属材料。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述多层纳米低熔点金属材料的每一层的熔点随着远离所述第一连接区域或所述第二连接区域而减小。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述多层纳米低熔点金属材料的每一层包括金、银、铝、铜、锌、锡、铅、锑、铋、锂、铟、镁、镓、镉及其合金中的一种。

10.一种成像设备，包括：

摄像头模组，包括镜头、滤光片和半导体封装件，所述半导体封装件包括：

基板，包括第一连接区域；

传感器芯片，包括第二连接区域；

第一键合层，在所述第一连接区域上；以及

第二键合层，在所述第二连接区域上，

其中，所述基板和所述传感器芯片通过由所述第一键合层和所述第二键合层形成共晶体而彼此结合，并且

其中，所述第一键合层和所述第二键合层均包括具有不同熔点梯度的多层纳米低熔点金属材料。