[发明专利]一种绝缘衬底上Mo催化生长石墨烯的方法

权利要求书

1.一种绝缘衬底上Mo催化生长石墨烯的方法，该方法包括以下步骤：

将Mo金属溅射在绝缘衬底上；

将溅射有Mo金属的绝缘衬底依次进行氧化处理、碳化处理，CVD生长石墨烯，去除Mo金属层，完成所述绝缘衬底上Mo催化生长石墨烯。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，Mo金属在绝缘衬底上的溅射方法包括以下步骤：

将SiO₂/Si衬底置于极限真空低于1×10^-6mbar的环境中，设置溅射功率为300W-500W，通入6sccm-10sccm的Ar气，溅射时间为10s-20s，Mo原子沉积在SiO₂/Si表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，氧化处理的温度为350℃-500℃，升温速率为15℃/min-20℃/min，氧化处理的时间为10min-60min。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述碳化处理的温度为900℃，升温速率为15℃/min-20℃/min，氧化处理的时间为20min-60min。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其中，所述碳化处理的升温过程中通入Ar，H₂和CH₄气。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述Ar的流量为100sccm-500sccm，所述H₂的流量为100sccm-500sccm，所述CH₄气的流量为50sccm-100sccm。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，达到碳化温度后，停止Ar的通入，只保留H₂和CH₄。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，CVD生长石墨烯包括以下步骤：

以15℃/min-20℃/min的速率升温至1080℃-1120℃，升温过程中调整CH₄气流量为10sccm-15sccm，CVD生长石墨烯60min-120min；

生长结束后，停止CH₄气的通入并将Ar和H₂的流量分别调至200sccm-500sccm和50sccm-200sccm，待温度降至300℃-500℃以下时，停止H₂的通入，待温度降至100℃-200℃以下时停止Ar的通入，取出反应后的衬底。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，去除Mo金属层包括以下步骤：

采用压力为0.6mPa-1mPa的氮气枪对生长上石墨烯的衬底进行时长为2min-10min的吹扫，去除金属层。

10.一种石墨烯，该石墨烯是通过权利要求1-9任一项所述的绝缘衬底上Mo催化生长石墨烯的方法制备得到的。