[发明专利]一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管

权利要求书

1.一种外延片，包括多量子阱层，其特征在于，所述多量子阱层包括周期性交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层和所述量子垒层均为AlGaN层；

其中，所述量子垒层通过Al组分含量的变化形成双三角形势垒结构。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述量子垒层包括依次层叠设置的第一量子垒子层、量子垒复合子层以及第二量子垒子层，所述量子垒复合子层的Al组分含量由一端向相对的另一端依次经过递增、递减、递增以及递减以形成所述双三角形势垒结构。

3.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述量子垒层为N型掺杂层，掺杂剂为Si，掺杂浓度为7*10¹⁸/cm ³～8*10¹⁸/cm³。

4.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述量子垒复合子层的Al组分含量为0.5～0.7，所述第一量子垒子层与所述第二量子垒子层的Al组分含量均恒定为0.4～0.5。

5.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述量子垒层的厚度为10～20nm，其中，所述第一量子垒子层和所述第二量子垒子层的厚度均为1～2nm，所述量子垒复合子层的厚度为8～16nm。

6.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述外延片还包括衬底、AlN缓冲层、未掺杂的AlGaN层、N型掺杂AlGaN层、AlGaN电子阻挡层、P型掺杂AlGaN层以及AlGaN接触层；

所述AlN缓冲层、未掺杂的AlGaN层、N型掺杂AlGaN层、多量子阱层、AlGaN电子阻挡层、P型掺杂AlGaN层以及AlGaN接触层依次层叠于所述衬底上。

7.根据权利要求6所述的外延片，其特征在于，所述AlGaN电子阻挡层与所述P型掺杂AlGaN层之间还设有P型掺杂的AlN/MgN超晶格层，所述AlN/MgN超晶格层包括周期性层叠的AlN子层和MgN子层。

8.根据权利要求7所述的外延片，其特征在于，所述AlN子层的掺杂剂为Mg，掺杂浓度为1*10¹⁷cm^-3～1*10¹⁹cm^-3。

9.一种外延片制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1至8中任一项所述的外延片，所述外延片制备方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次外延生长AlN缓冲层、未掺杂的AlGaN层、N型掺杂AlGaN层、多量子阱层、AlGaN电子阻挡层、P型掺杂的AlN/MgN超晶格层、P型掺杂AlGaN层以及AlGaN接触层；

其中，在生长量子垒层时，控制Al组分通入流量恒定，生长得到第一量子垒子层、再控制Al组分通入流量依次经过递增、递减、递增以及递减，生长得到量子垒复合子层，最后控制Al组分通入流量恒定，生长得到第二量子垒子层。

10.一种发光二极管，其特征在于，包括权利要求1至8中任一项所述的外延片。