[发明专利]MOSFET BSIM4转换为BSIM-BULK模型方法

说明书

本发明提供了一种MOSFET BSIM4转换为BSIM‑BULK模型方法，方法包括：将Cgc相关参数从BSIM4模型复用到BSIM‑BULK模型；将ioff相关参数从BSIM4模型复用到BSIM‑BULK模型；将LDE相关参数从BSIM4模型复用到BSIM‑BULK模型；基于复用的Cgc相关参数、ioff相关参数、LDE相关参数，对BSIM4模型进行转换得到处理得到BSIM‑BULK模型。本申请完成了BSIM4转换为BSIM‑BULK模型，由于是直接基于参数的复用，因此，降低了模型转换的难度。

技术领域

本申请涉及电路处理技术领域，具体涉及一种MOSFET BSIM4转换为BSIM-BULK模型方法。

背景技术

BSIM(Berkeley Short-channel IGFET Model)模型是针对短沟道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)提出的模型，能提供标准电路的直流分析，瞬时分析，交流分析等数据。其中BSIM4模型适用于深亚微米工艺节点，是业界广泛使用的器件模型。BSIM4模型具有仿真速度快，准确性和灵活度高等优点，缺点在于Vds＝0V附近的非对称性。为了解决非对称性问题，开发出了具有对称性优势的BSIM6模型，业界又称之为BSIM-BULK，以便更好体现模型物理架构。由于对称性优势，业界使用BSIM-BULK model越来越多。

在一些场景中，通常需要将BSIM4转换为BSIM-BULK模型，但是由于BSIM4是基于阈值电压模型，而BSIM-BULK是基于体电荷模型，因此，两者模型架构不同，模型参数存在区别，由此导致BSIM4转换为BSIM-BULK模型的难度较大。

发明内容

本申请实施例提供一种MOSFET BSIM4转换为BSIM-BULK模型方法，用以克服或者缓解现有技术中存在的上述技术问题。

本申请采用的技术方案为：

一种BSIM4转换为BSIM-BULK模型方法，其包括：

将Cgc相关参数从BSIM4模型复用到BSIM-BULK模型；

将ioff相关参数从BSIM4模型复用到BSIM-BULK模型；

将LDE相关参数从BSIM4模型复用到BSIM-BULK模型；

基于复用的Cgc相关参数、ioff相关参数、LDE相关参数，对BSIM4模型进行转换得到处理得到BSIM-BULK模型。

可选地，所述Cgc相关参数包括：cgdo(非轻掺杂区域栅极到漏极交叠电容)，cgso(非轻掺杂区域栅极到源极交叠电容)，cgdl(轻掺杂区域栅极到漏极交叠电容)，cgsl(轻掺杂区域栅极到源极交叠电容)，ckappad(偏压相关的栅极到漏极交叠电容系数)，ckappas(偏压相关的栅极到源极交叠电容系数)，dlc(CV模型的沟道长度补偿系数)中至少其一。

可选地，所述Cgc相关参数还包括llc(CV模型的长度相关沟道长度补偿系数)，lwc(CV模型的宽度相关沟道长度补偿系数)，lwlc(CV模型的长度宽度相关沟道长度补偿系数)，dwc(CV模型的沟道宽度补偿系数)，wlc(CV模型的长度相关沟道宽度补偿系数)，wwc(CV模型的宽度相关沟道宽度补偿系数)，wwlc(CV模型的长度宽度相关沟道宽度补偿系数)中至少其一。