[发明专利]显示面板及其制作方法在审
申请号: | 202210361703.1 | 申请日: | 2022-04-07 |
公开(公告)号: | CN114975503A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 李柱辉 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄锐 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本申请实施例公开了一种显示面板及其制作方法,显示面板包括阵列基板、封装盖板以及第二走线,阵列基板的一侧设有第一走线;封装盖板设于阵列基板的靠近第一走线的一侧,封装盖板设有线槽,线槽对应第一走线设置;第二走线设于线槽内,第二走线通过线槽与第一走线连接,可以在不增加特殊制程和不降低Micro LED显示面板的分辨率的基础上有效改善Micro LED显示面板的压降问题。
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
近年来,显示行业的竞争变得越来越激烈,更新周期不断缩短,以液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)与有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)的竞争尤为激烈。随着OLED工艺、材料的成熟以及良率的提升,LCD渐渐失去了在小尺寸的市场优势,特别是在手机市场,OLED已渐渐取代LCD的地位。近年来也兴起了很多新型的显示技术,例如量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)显示、电子墨水屏(E-ink)、柔性LCD、钙钛矿发光二极管(Perovskite light-emitting didoes,PeLEDs)显示、迷你发光二极管(Mini Light-emitting Diode,Mini LED)、微发光二极管(MicroLight-emitting Diode,Micro LED)等等。这些新技术因还存在成本、寿命、可靠性等一些问题,还具备不了像LCD、OLED的量产性。
Micro LED因具有色域广、对比度高、响应速度快、分辨率高、寿命长等优点,被很多企业大力推广,同时被视为下一代最具有潜力的新型显示技术。Micro LED目前已有多个厂家的样片面世,但仍然存在很多问题,例如亮度不均匀。
Micro LED显示面板设有走线,电源信号从走线的一端传输至另一端,受电阻电容负载(RC Loading)的影响,随着信号传输距离的增加,走线的负载也逐渐增加,即电源信号量从近端到远端逐步衰减,因此,走线存在压降(IR Drop),这会导致Micro LED显示面板的亮度不均匀。
现有的解决压降的方式有以下几种:(1)采用低电阻率的金属(例如,银)作为走线的导电材料,成本较高,制程难度大;(2)增加走线的宽度,不适合高分辨率、无边框等高阶产品;(3)制程上增加走线的厚度,导致走线的taper角太陡,绝缘层难以覆盖走线,且容易存在底切问题;(4)通过多层金属层叠加来制作走线,制程多且复杂,良率低,成本高。
因此,亟需一种可以在不增加特殊制程和不降低Micro LED显示面板的分辨率的基础上有效改善Micro LED显示面板压降问题的技术方案。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法,可以在不增加特殊制程和不降低Micro LED显示面板的分辨率的基础上有效改善Micro LED显示面板的压降问题。
本申请实施例提供一种显示面板,包括:
阵列基板,所述阵列基板的一侧设有第一走线;
封装盖板,设于所述阵列基板的靠近所述第一走线的一侧,所述封装盖板设有线槽,所述线槽对应所述第一走线设置;以及
第二走线,设于所述线槽内,所述第二走线通过所述线槽与所述第一走线连接。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述线槽包括沉槽和通孔,所述沉槽与所述通孔连通;
所述第二走线覆盖于所述沉槽和所述通孔内,所述第二走线通过所述通孔与所述第一走线连接。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述沉槽的一端与一个所述通孔连通,所述沉槽的另一端与另一个所述通孔连通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的