[发明专利]一种具有渐变结构的正极性LED及其制备方法有效
| 申请号： | 202210362487.2 | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN114447164B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 杨祺;王苏杰;熊欢;林晓珊;董耀尽;王向武 | 申请（专利权）人： | 南昌凯迅光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌金轩知识产权代理有限公司 36129 | 代理人： | 杨丽 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 渐变 结构 极性 led 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有渐变结构的正极性LED，其特征在于，所述LED的外延结构依照外延生长顺序，从下往上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、N型DBR反射层、N型AlInP限制层、N型AlGaInP Space层、有源层、P型AlGaInP Space层、P型AlInP限制层、P型GaP窗口层、P型GaP欧姆接触层；
在所述P型AlInP限制层和所述P型GaP窗口层之间插入一组P型(AlxGa1-x)yIn1-yP应变层；
其中，所述x的范围为0x1，所述y的范围为0y1；
所述一组P型(AlxGa1-x)yIn1-yP应变层包括第一P型(AlxGa1-x)yIn1-yP应变层、P型(AlxGa1-x)yIn1-yP应变稳定层和第二P型(AlxGa1-x)yIn1-yP应变层；
所述第一P型(AlxGa1-x)yIn1-yP应变层中x满足x=at2+c，t∈[5,20]的变化方式进行变化，y满足y= c-1/（20t），t∈[5,20]的变化方式进行变化，其中t为所述第一P型(AlxGa1-x)yIn1-yP应变层的厚度，取值范围为5nm-20nm，a取值为-0.012，c为P型AlInP限制层的Al组分；
所述P型(AlxGa1-x)yIn1-yP应变稳定层的各组分为所述第一P型(AlxGa1-x)yIn1-yP应变层生长完后最后确定的组分；
所述第二P型(AlxGa1-x)yIn1-yP应变层x由所述P型(AlxGa1-x)yIn1-yP应变稳定层的确定值逐渐趋近于0，y由所述P型(AlxGa1-x)yIn1-yP应变稳定层的确定值逐渐趋近于1。
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