[发明专利]超薄芯片及其平整化方法和应用在审
| 申请号： | 202210362697.1 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN114823285A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 陈颖;王添博;汪照贤;王禾翎 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院;钱塘科技创新中心 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/48 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 李丽华 |
| 地址： | 314051 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超薄 芯片 及其 平整 方法 应用 | ||
1.一种超薄芯片的平整化方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供芯片，所述芯片包括层叠设置的硅衬底以及功能层，所述芯片的边缘朝所述功能层的方向翘曲；
对所述芯片进行预压缩，使所述芯片的边缘朝所述硅衬底的方向翘曲；以及
在所述硅衬底远离所述功能层的表面形成厚度小于或等于5μm的薄膜，得到平整化的超薄芯片。
2.根据权利要求1所述的超薄芯片的平整化方法，其特征在于，所述芯片的边缘朝所述功能层的方向翘曲时，翘曲度为α，α的取值范围为10μm-1000μm。
3.根据权利要求2所述的超薄芯片的平整化方法，其特征在于，所述芯片的边缘朝所述硅衬底的方向翘曲时，翘曲度为β，β的取值范围为10μm-1000μm。
4.根据权利要求3所述的超薄芯片的平整化方法，其特征在于，α与β的差的绝对值小于或等于100μm。
5.根据权利要求3所述的超薄芯片的平整化方法，其特征在于，对所述芯片进行预压缩的步骤包括：在所述功能层远离所述硅衬底的表面形成保护膜，然后用夹具固定所述带有保护膜的芯片，在所述硅衬底远离所述保护膜的表面施加压力进行预压缩。
6.根据权利要求1-5任一项所述的超薄芯片的平整化方法，其特征在于，所述薄膜的材料选自金属、SiN、SiO2或高分子材料中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的超薄芯片的平整化方法，其特征在于，所述高分子材料选自晶片黏结薄膜、聚酰亚胺或聚对二甲苯中的至少一种。
8.根据权利要求1-5任一项所述的超薄芯片的平整化方法，其特征在于，所述芯片的厚度小于或等于50μm。
9.一种超薄芯片，其特征在于，由芯片经如权利要求1-8任一项所述的平整化方法平整后得到。
10.一种柔性电子，其特征在于，包括如权利要求9所述的超薄芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江清华柔性电子技术研究院;钱塘科技创新中心，未经浙江清华柔性电子技术研究院;钱塘科技创新中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210362697.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种塑料制品回收用清洗设备
- 下一篇：木质素解聚生物油催化转化制备环醇的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
