[发明专利]一种三相LCL-DAB直流变换器拓扑及其控制方法在审

专利信息
申请号: 202210364250.8 申请日: 2022-04-07
公开(公告)号: CN114598163A 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 刘进军;陈晖;杜思行 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 贺小停
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 三相 lcl dab 直流 变换器 拓扑 及其 控制 方法
【说明书】:

发明公开了一种三相LCL‑DAB直流变换器拓扑及其控制方法,所述三相LCL‑DAB直流变换器,包括一次侧、二次侧和中间磁件;所述一次侧、二次侧均为三相桥式电路,中间磁件为三相高频变压器星型连接组成;一次侧三相桥式电路与三相高频变压器之间由三相LCL谐振腔电路连接;所述一次侧三相桥式电路并联输入电容C1作为输入端口,所述二次侧三相桥式电路并联输出电容C2作为输出端口。该直流变换器拓扑能显著减小电流有效值,在保留隔离、高功率密度特性的前提下,还保证了高电能转换效率和相对较低的硬件成本。

技术领域

本发明属于电力电子技术领域,涉及一种三相LCL-DAB直流变换器拓扑及其控制方法。

背景技术

一直以来,高频双向隔离型直流变换器(IBDC)作为电力电子领域的研究热点一直受到广泛关注。被广泛应用在高电压变比,能量双向流动的大功率工业领域,例如电力电子变压器,多电飞机,家用电动汽车,分布式直流微电网等重要的工业应用领域。三相DAB拓扑作为IBDC中一种非常有潜力的拓扑,能够简单的实现高电压变比,高功率密度,低器件应力,开关器件的软开关等多项功能。但同时,在高电压变比的情况下,三相DAB存在着高回流功率,电流有效值过大等缺陷。

发明内容

本发明的目的在于克服现有DAB变换器高电压变比情况下电流有效值过大的技术缺陷,提出一种三相LCL-DAB直流变换器拓扑及其控制方法,该直流变换器拓扑能显著减小电流有效值,在保留隔离、高功率密度特性的前提下,还保证了高电能转换效率和相对较低的硬件成本。

本发明的目的是由以下技术方案实现的:

一种三相LCL-DAB直流变换器,包括一次侧、二次侧和中间磁件;

所述一次侧、二次侧均为三相桥式电路,中间磁件为三相高频变压器星型连接组成;一次侧三相桥式电路与三相高频变压器之间由三相LCL谐振腔电路连接;所述一次侧三相桥式电路并联输入电容C1作为输入端口,所述二次侧三相桥式电路并联输出电容C2作为输出端口。

作为本发明的进一步改进,所述三相LCL谐振腔电路的每相均与三相高频变压器的原边绕组串联;三相LCL式谐振腔采用星型连接至中性点O3,三相高频变压器采用星型连接至原边绕组中性点O1,副边绕组中性点O2

作为本发明的进一步改进,所述一次侧三相桥式电路为六个开关管组成三相桥逆式变电路;六个开关管串联接在输入电压两端,开关管T11的源极与开关管T12的漏极相连,三相桥臂中点通过三相LCL谐振腔与变压器相连,A相桥臂中点与左侧谐振电感的一端相连,左侧谐振电感的与右侧谐振电感相连,交汇节点与谐振电容的一端相连,三相谐振电容共同连接在中性点O3上;右侧谐振电感的另一端与变压器一次侧绕组相连。

作为本发明的进一步改进,所述二次侧三相桥式电路为六个开关管组成三相桥式整流变电路。

作为本发明的进一步改进,所述一次侧、二次侧三相桥式电路均采用三相对称控制,每相桥臂的开关信号之间互差120度相位。

作为本发明的进一步改进,所述三相LCL谐振腔电路的参数满足以下关系:

式中,ωs为开关频率,Lr为谐振电感,Cr为谐振电容。

一种三相LCL-DAB直流变换器的控制方法,包括以下步骤:

一次侧、二次侧三相桥式电路之间的外移相角始终保持在最大移相角π/2不变,通过调制方法改变原副边桥口电压的有效值来改变功率的传输。

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