[发明专利]DRAM电路的测试方法及系统

权利要求书

1.一种DRAM电路的测试方法，其特征在于，用于DRAM电路的测试系统，所述DRAM电路的测试系统包括寄存电路及DRAM电路，所述测试方法包括：

基于读指令产生第一使能信号，并将所述第一使能信号发送至所述寄存电路；

所述寄存电路基于所述第一使能信号经由数据线获取期望数据；

获取所述获取期望数据后，基于所述读指令产生延时信号，并将所述延时信号发送至所述DRAM电路，所述DRAM电路基于所述延时信号读取DRAM中的存储数据，并将基于所述期望数据及所述存储数据得到的所述DRAM电路测试结果经由所述数据线输出。

2.根据权利要求1所述测试方法，其特征在于，

所述基于读指令产生第一使能信号，更包括：

接收到所述读指令，并在所述读指令的时钟周期内断言所述第一使能信号；

所述基于所述读指令产生延时信号，更包括：

在所述时钟周期内，且在所述第一使能信号的有效脉宽之后断言所述延时信号。

3.根据权利要求2所述测试方法，其特征在于，

所述第一使能信号的所述有效脉宽为固定脉宽，将断言所述延时信号的时刻设置为断言所述第一使能信号的时刻加上所述固定脉宽之后。

4.根据权利要求2所述测试方法，其特征在于，进一步包括：

接收所述第一使能信号的反馈信号；

基于所述反馈信号去断言所述第一使能信号，并且断言所述延时信号。

5.根据权利要求1所述测试方法，其特征在于，所述寄存电路包括缓冲寄存器及DRAM的本地寄存器，

所述寄存电路基于所述第一使能信号经由所述数据线获取期望数据，包括：

基于所述第一使能信号将所述缓冲寄存器中预存的所述期望数据经由所述数据线写入所述本地寄存器；

所述DRAM电路将基于所述期望数据及所述存储数据得到的所述DRAM电路测试结果经由所述数据线输出，包括：

从所述本地寄存器获取所述期望数据；

基于所述延时信号中的第二使能信号，将所述期望数据与所述存储数据比较所得到的所述DRAM电路测试结果经由所述数据线输出。

6.根据权利要求1所述测试方法，其特征在于，所述DRAM电路基于所述延时信号读取DRAM中的存储数据，包括：

基于所述延时信号中的预充电信号在所述寄存电路获取所述期望数据后对所述数据线进行预充电；及

将从DRAM中读出的所述存储数据进行放大后输出。

7.一种DRAM电路的测试系统，其特征在于，包括：

控制电路，用于接收读指令，并基于读指令产生第一使能信号；

寄存电路，与所述控制电路连接，用于基于所述第一使能信号经由数据线获取期望数据；

DRAM电路，与所述控制电路连接，用于基于延时信号读取DRAM中的存储数据，并将基于所述期望数据及所述存储数据得到的所述DRAM电路测试结果经由所述数据线输出；

其中，所述控制电路更基于所述读指令在所述寄存电路获取所述期望数据之后产生所述延时信号。

8.根据权利要求7所述的测试系统，其特征在于，所述控制电路在所述读指令的时钟周期内产生所述第一使能信号，并在所述时钟周期内，且在所述第一使能信号的脉冲宽度之后断言所述延时信号。

9.根据权利要求8所述的测试系统，其特征在于，所述第一使能信号的所述脉冲宽度为固定脉宽，所述控制电路将断言所述延时信号的时刻设置为断言所述使能信号的时刻加上所述固定脉宽之后；或者

所述控制电路接收所述第一使能信号的反馈信号，并基于所述反馈信号去断言所述第一使能信号，并且断言所述延时信号。